Tanggapan positif terhadap terobosan Changxin 4F2, CTO Micron: 3D DRAM "secara jangka panjang lebih dapat dikembangkan dan efisien biaya"
Nilai pasar chip penyimpanan global baru-baru ini mengalami fluktuasi, dan perdebatan mengenai jalur teknologi semakin memanas. Presiden Micron, Scott DeBoer, menyatakan bahwa meskipun perusahaan secara internal telah lama mengevaluasi arsitektur 4F², mereka tetap memilih jalur 6F² dan akan langsung melangkah ke 3D DRAM, dengan alasan transistor kanal vertikal 4F² tidak memiliki jalur ekspansi yang berkelanjutan. Sebaliknya, CXMT sebelumnya mengumumkan rencana untuk meluncurkan produk DDR5 dengan arsitektur 4F² pada akhir tahun ini, sementara Samsung juga mempertimbangkan untuk mengadopsi arsitektur tersebut pada tahun 2028.
Baru-baru ini, pasar chip penyimpanan global kembali mengalami pergolakan valuasi dan perdebatan jalur teknologi. Di pasar modal, indeks Philadelphia Semiconductor dan sektor penyimpanan mengalami penurunan cukup signifikan; sedangkan di sisi industri, terobosan Changxin Storage pada arsitektur 4F² DRAM memicu diskusi luas di sektor tersebut.
Pada 21 Oktober, Presiden dan Chief Technology & Product Officer Micron, Scott DeBoer, memimpin sebuah webinar teknologi dan produk, dengan salah satu topik utamanya adalah merespons kekhawatiran investor yang muncul setelah Changxin mengumumkan rencana arsitektur 4F².
Scott DeBoer secara terang-terangan menyatakan meskipun secara internal telah lama mengevaluasi dan melakukan verifikasi prototipe 4F², Micron tetap akan berpegang pada jalur 6F² saat ini dan pada akhirnya langsung menuju ke 3D DRAM. Menurut Micron, dalam jangka panjang, 3D DRAM adalah pilihan yang lebih pasti dalam hal “scalabilitas dan efisiensi biaya”.
Ia lebih lanjut menjelaskan bahwa faktor kunci yang menentukan kerapatan bit DRAM dan ekspansi biaya adalah jarak antar kapasitor.Transistor kanal vertikal (VCAT) pada arsitektur 4F² tidak memiliki jalur ekspansi yang layak selain meminimalkan jarak.
Menurut Trading Platform, tim analis Timothy Arcuri dari UBS kemudian melaporkan bahwa jika penilaian Micron benar dan industri pada akhirnya beralih ke 3D DRAM, pemasok peralatan deposisi dan etsa kemungkinan akan memperoleh keuntungan dari hal ini.
Sebelumnya, Berita Finansial Wall Street menyebutkan bahwa Presiden Changxin Storage, Cao Kanyu, pada 10 Oktober mengumumkan bahwa perusahaan berencana meluncurkan DDR5 RDIMM generasi baru berbasis arsitektur 4F² pada akhir tahun ini. Dibandingkan dengan arsitektur 6F² yang umum, luas chip dapat diperkecil sekitar 30%, sehingga satu wafer dapat menghasilkan lebih banyak chip.
Poin Utama Micron: 4F² Bukan Jalan Menuju Masa Depan
Teknologi 4F² Changxin menjadi pusat perhatian industri, terutama karena langsung menargetkan titik sakit bisnis terpenting chip DRAM—kepadatan bit (Bit Density) per wafer tunggal dan biaya.
Pada desain DRAM tradisional, industri kebanyakan memakai arsitektur 6F². Jika sukses beralih ke 4F², secara teori luas sel bisa diperkecil lebih dari 30% dalam node proses yang sama, sehingga output Die efektif per wafer tunggal meningkat signifikan.
UBS setelah berdiskusi dengan pihak Micron menyimpulkan bahwa Micron menyampaikan pandangannya soal hambatan produksi massal 4F²:
Pertama, hambatan utama terletak pada kapasitor, bukan pada transistor. Menurut Micron, batas akhir miniaturisasi DRAM terletak pada jarak antarkapasitor, bukan hanya arsitektur sel transistor. Jika jarak antar kapasitor tidak bisa dikompres secara bersamaan, beralih ke struktur 4F² saja tidak akan secara linier mengubah keunggulan biaya secara berkelanjutan.
Kedua, batasan pengembangan VCAT. Arsitektur 4F² biasanya membutuhkan transistor kanal vertikal (VCAT). Micron menegaskan, VCAT tidak memiliki jalur pengembangan berkelanjutan selain memperkecil jarak, serta menuntut kompleksitas manufaktur yang sangat tinggi terhadap proses ALD (Atomic Layer Deposition) dan epitaksi selektif, sehingga biaya produksi massal dapat mengikis keuntungan dari pengecilan area.
Menurut rangkuman analis Deutsche Bank, Melissa Weathers, dalam laporannya seusai acara, Micron tidak hanya secara jelas menyatakan tidak berencana beralih ke arsitektur 4F², tetapi juga menegaskan bahwa mereka telah mengevaluasi internal 4F² selama puluhan tahun dan bahkan mengembangkan prototipe, namun kesimpulannya: sebelum industri beralih ke 3D DRAM, 6F² adalah jalur yang lebih menarik.
Pertimbangan Teknologi Berbeda di Tiap Produsen Besar
Analisis UBS menunjukkan bahwa pernyataan Micron ini sebenarnya menandai adanya dua jalur teknologi yang berjalan paralel, mirip dengan kesiapan perusahaan pada node 1-beta terkait penggunaan EUV. Mereka memperkirakan bahwa 3D DRAM pada akhirnya akan bersinggungan dengan roadmap mereka dan melihatnya sebagai solusi jangka panjang yang “lebih scalable dan cost-effective”.
Namun, logika Micron tidak mewakili konsensus seluruh industri.
Penelitian UBS terbaru menunjukkan, selain Changxin yang sepenuhnya mendorong ke arah ini, raksasa industri Samsung juga dikabarkan mempertimbangkan untuk mengadopsi arsitektur 4F² di node 0a nm mendatang untuk mengurangi tekanan proses akibat rasio kedalaman/rasio tinggi kapasitor.
Samsung berencana untuk melaksanakan produksi massal 6F² di node 1d nm pada tahun 2027 dan mendorong implementasi 4F² di node 0a nm sebelum akhir tahun 2028.
Narasi Teknologi Micron
Selain secara langsung menanggapi keraguan terkait 4F², dalam webinar ini Micron juga menyoroti portofolio teknologi mereka yang komprehensif.
Pemetaan Memori AI secara Luas: Micron menekankan bahwa kebutuhan memori untuk AI bukan hanya pada pelatihan HBM tunggal, tapi juga kebutuhan LPDDR6, DDR6, SOCAMM, dan RDIMM berkapasitas besar 1TB untuk inference, edge AI, dan autonomous driving.
Paket Lanjutan dan Integrasi Logika: Micron menganggap Hybrid Bonding sebagai keunggulan utama untuk HBM 16-High dan generasi yang lebih tinggi, serta aktif bekerja sama dengan foundry untuk mengembangkan vHBM (stacking vertikal memori di atas inti komputasi). Micron mencoba menunjukkan bahwa persaingan di era AI telah bergeser dari “pengendalian biaya per bit” ke “sinergi tingkat sistem antara memori, packaging, dan arsitektur logika”.
Redefinisi Nilai NAND: Micron juga memamerkan roadmap Gen11 NAND dengan lebih dari 400 lapisan, menekankan kebutuhan penyimpanan performa tinggi yang ditargetkan untuk IOPS tinggi dan bandwidth tinggi di era AI, serta membangun pertahanan terpadu antara DRAM dan NAND.
Dampak Nyata 4F² Changxin: Reaksi Pasar Mungkin Berlebihan
Untuk kekhawatiran yang dipicu pengumuman 4F² Changxin, beberapa institusi sebelumnya telah memberikan penilaian yang lebih berhati-hati.
Menurut Nomura Securities, selama periode proyeksi hingga 2028, baik 4F² maupun 3D DRAM "tidak akan memberikan dampak substansial", dengan produksi massal 4F² Changxin diperkirakan baru terjadi pada 2027 hingga 2028. CITIC Securities juga menyatakan bahwa 4F² saat ini masih pada tahap verifikasi awal, dengan tingkat keberhasilan, output, dan sertifikasi pelanggan yang masih perlu diuji, sehingga dampaknya terhadap pola industri penyimpanan menengah terbatas.
Dari sisi posisi industri Changxin sendiri, bisnis HBM mereka masih dalam tahap awal, sehingga dalam waktu singkat sulit untuk mendapatkan margin premium tinggi yang didorong oleh kebutuhan AI di segmen ini. Dengan tren kenaikan harga DRAM konvensional yang kini mulai melandai, karakteristik struktural ini membuat Changxin relatif kekurangan ruang lindung nilai.
Data pemantauan TrendForce menunjukkan bahwa harga kontrak DRAM umum naik dari 93%-98% pada kuartal pertama 2026, namun pertumbuhan ini terus menyempit menjadi 13%-18% pada kuartal ketiga, dan diperkirakan turun lebih lanjut ke 10%-15% di kuartal keempat.
Disclaimer: Konten pada artikel ini hanya merefleksikan opini penulis dan tidak mewakili platform ini dengan kapasitas apa pun. Artikel ini tidak dimaksudkan sebagai referensi untuk membuat keputusan investasi.
Kamu mungkin juga menyukai
Bisnis SI mempercepat ledakan dan memperkuat tren pertumbuhan! UBS menaikkan target harga SpaceX (SPCX.US) menjadi 230 dolar AS
UBS percaya bahwa SpaceX terus memenuhi ekspektasi pasar yang tinggi terhadapnya, dan tren ini akan berlanjut. UBS memberikan peringkat "Beli" pada SpaceX dengan target harga 12 bulan sebesar 230 dolar AS.
Elon Musk secara terbuka mendukung merger SpaceX (SPCX.US) dan Tesla (TSLA.US), orang dalam khawatir negosiasi bisa berubah
Musk secara terbuka menyatakan dukungannya terhadap potensi merger antara SpaceX dan Tesla minggu ini, namun pernyataannya membuat para orang dalam yang terlibat dalam diskusi merasa tidak nyaman. Mereka khawatir bahwa komentar tersebut dapat menarik perhatian para pemegang saham dan menunda proses transaksi selama beberapa minggu.
Harga kripto
Lainnya
