Changxin Storage 4F2 impacta acciones de almacenamiento: Goldman Sachs considera que la brecha de capacidad se está reduciendo, pero la diferencia en tecnología avanzada DRAM y HBM sigue siendo grande.

Después de la noticia de Changxin 4F2, el valor de mercado de las acciones de almacenamiento se evaporó aproximadamente 738 mil millones de dólares.La opinión de Goldman Sachs es: el mercado ha subestimado la expansión de la capacidad de Changxin, pero ha sobrevalorado su avance tecnológico; Samsung y SK hynix han caído por debajo de sus activos netos proyectados para 2028, lo que ya refleja un ciclo descendente.

Una noticia tecnológica provoca una pérdida de más de 700 mil millones de dólares

El 10 de octubre, se informó que Changxin Storage logró avances en una nueva arquitectura de celda de memoria DRAM llamada 4F2, y que el presidente de la compañía indicó que planean lanzar productos de memoria para servidores basados en la arquitectura 4F2 antes de finales de 2026.En los varios días de negociación posteriores a la noticia, los precios de las acciones de las principales empresas mundiales de almacenamiento cayeron en general: Samsung Electronics bajó 20%, SK hynix cayó 25%, Micron 11%, SanDisk 11%, Kioxia 26% y la propia Changxin también bajó 15%. Según Goldman Sachs, el valor total del sector almacenamiento perdió cerca de 738 mil millones de dólares.

En esta serie de caídas, hay dos puntos que no concuerdan del todo con la explicación de la “amenaza tecnológica de Changxin”.Primero, la propia Changxin bajó 15%, y si el mercado realmente viera al 4F2 como un arma para que Changxin tomara cuota, su acción no debería caer junto con la de sus rivales. Segundo, Kioxia y SanDisk se enfocan principalmente en NAND flash, que tiene poca relación con la arquitectura de celdas DRAM, pero sus caídas fueron similares a las de SK hynix, e incluso mayores en el caso de Kioxia. Por ello, Goldman Sachs considera que esta corrección incorpora también otros factores, entre ellos preocupaciones sobre crédito y financiamiento de IA, así como datos del IPC superiores a lo esperado.

Más llamativa aún es la divergencia entre precios y cotización bursátil.El precio spot de DRAM suele considerarse un indicador del sentimiento del mercado, ya que refleja cuánto están dispuestos a pagar los distribuidores y clientes pequeños en el momento. Durante el mismo período en que cayeron las acciones de Samsung y SK hynix, el precio spot de DDR5 16Gb subió sostenidamente desde mediados de septiembre a mediados de octubre, estando en su punto más alto cuando las acciones caían. Es decir, lo que cotiza el mercado bursátil es la preocupación por la oferta futura, no la oferta y demanda actuales.

Este es precisamente el interrogante que Goldman Sachs busca responder: ¿qué preocupaciones del anuncio de 4F2 de Changxin tienen fundamento y cuáles ya están sobrevaloradas en los precios?Su conclusión se divide en dos partes. El mercado puede haber subestimado tanto la velocidad de escalado de la capacidad de almacenamiento en China como el potencial de avances tecnológicos; Goldman Sachs está de acuerdo con la primera mitad, ya que la capacidad de Changxin está alcanzando con rapidez; pero respecto a la segunda mitad, Goldman Sachs considera que el mercado ha sobreestimado el potencial, pues completar la verificación del cliente, lograr una producción en masa con altos rendimientos y reducir la brecha en DRAMs avanzadas como HBM aún llevará bastante tiempo.

¿Qué es 4F2?: Aumentar la densidad mediante una nueva estructura de celda

Un chip DRAM está compuesto por cientos de millones de celdas de memoria, cada una de las cuales almacena una carga para representar un bit de datos.En la industria se utiliza la letra F para indicar la menor característica representable por la tecnología de proceso, y el área de la celda se dimensiona en función del cuadrado de F. Actualmente, la mayoría de los DRAM usan una disposición 6F2, donde cada celda ocupa un área de 3F×2F; 4F2 reduce eso a 2F×2F.

Cuando F no varía, el área de la celda baja de 6F2 a 4F2, permitiendo situar aproximadamente un 50% más de celdas en el mismo espacio y así aumentar la densidad de datos.Para una planta de obleas, esto significa que una misma oblea puede cortarse en más chips de mayor capacidad, lo que podría reducir el costo por bit.

El coste también es directo.Mientras menor sea la celda, más fácil que el transistor tenga fugas y la carga almacenada se pierda. La solución de Changxin tiene dos partes: primero, transistores VSG (puerta envolvente vertical), que hacen que el canal sea vertical y la puerta lo envuelva por completo para mejorar el control de corriente y reducir fugas; segundo, unión híbrida W2W (wafer-to-wafer), que fabrica las celdas y los circuitos de control en obleas separadas, cada una usando el proceso más adecuado, y se unen con alineación precisa.

Goldman Sachs señala, además, los retos de manufactura de 4F2: los transistores verticales deben ser altamente uniformes; los condensadores, en un área más pequeña, deben almacenar suficiente carga; los cables más densos deben diseñarse cuidadosamente para evitar interferencia; la unión híbrida añade pasos y exige absoluta precisión entre la capa de almacenamiento y la de control.Estos desafíos incrementan los costes y bajan el rendimiento, pudiendo contrarrestar los beneficios de colocar más celdas en el mismo espacio.

¿Por qué Changxin eligió 4F2?: Ruta alternativa ante las restricciones de EUV

Para aumentar la densidad en DRAM hay dos caminos: reducir F o reducir el número de F2 de cada celda.En la última década la industria siguió principalmente el primer camino, recurriendo en los nodos más avanzados a litografía cada vez más fina, en especial la EUV (litografía ultravioleta extrema) de ASML.

Changxin no puede obtener equipos EUV, por lo que la reducción de F está limitada.Goldman Sachs interpreta que su migración a 4F2 responde a esta restricción: pasar de 6F2 a 4F2 permite aumentar la densidad sin depender totalmente de litografía más avanzada. Esto explica por qué Changxin está dispuesto a asumir primero la dificultad manufacturera de 4F2 y revela que los fabricantes coreanos enfrentan diferentes alternativas.

Un informe detallado de agosto revisó estas mismas limitaciones: el almacenamiento chino sigue siendo débil en litografía DUV por inmersión, metrología avanzada, algunos softwares de fabricación y certificación de encapsulado HBM. La diferencia entre “ser utilizable” y “atreverse a usarlo en producción masiva” depende de la estabilidad, el rendimiento y la responsabilidad sobre la tasa de éxito.4F2 es una ruta estructural para sortear el cuello de botella litográfico, pero traslada el desafío de la litografía a los transistores verticales, condensadores y unión, sin simplificar el proceso.

Samsung y SK hynix también avanzan en 4F2, pero sin prisa

El camino 4F2 no es exclusivo de Changxin.Según medios coreanos, Samsung ya logró el primer chip DRAM operativo por debajo de 10nm con arquitectura 4F2 y VCT (transistor de canal vertical, similar al VSG de Changxin), y planea completar el desarrollo de DRAM nodo 10a basado en 4F2 para finales de 2026, validarlo en 2027 y entrar en producción en masa en 2028. Además, Samsung prevé mantener 4F2 y VCT en los nodos 10a, 10b y 10c, migrando a DRAM 3D desde el nodo 10d.

SK hynix también ha incorporado 4F2 en su hoja de ruta tecnológica: en los nodos de 10nm y menores introducirá una plataforma de puerta vertical 4F2, apilando los circuitos de control bajo las celdas mediante unión de obleas.En julio de 2026, hynix completó la validación de lectura y escritura en una matriz de prueba 4F2.

La diferencia entre las tres no es “si pueden o no hacer” 4F2, sino por qué y cuándo deben hacerlo.Samsung y SK hynix disponen de EUV y pueden seguir aumentando densidad y rendimiento a través de la reducción de F, sin incurrir prematuramente en la pérdida de rendimiento y aumento de coste asociados a 4F2; programan 4F2 para nodos por debajo de 10nm y su producción masiva será en torno a 2028, como solución de relevo cuando el camino actual llegue a su límite. Como Changxin no dispone de EUV, 4F2 es una opción casi obligada para ellos.

Por eso, Goldman Sachs considera que el núcleo del debate sobre 4F2 no es si se puede fabricar en laboratorio, sino si esta arquitectura realmente aporta eficiencia de fabricación y rentabilidad económica.Samsung y SK hynix avanzan a su ritmo y que Changxin sea el primero en enviar muestras no altera su hoja de ruta tecnológica.

Del diseño a la producción masiva: lo que aún le falta a Changxin

Goldman Sachs considera que aún es prematuro evaluar el impacto de 4F2 en los fundamentales de Samsung y SK hynix.Un juicio real exige al menos cinco tipos de información, de los que por ahora se conoce poco: si el desarrollo está en la fase de muestra de I+D o ya con clientes; la competitividad de costes respecto a productos existentes; pronóstico de rendimiento; calendario de validación con clientes; y calendario comercial.

Según los informes actuales, Changxin está en la fase de diseño de producto, con el objetivo de entregar muestras a finales de 2026.Si lo consiguen dentro del plazo, ya sería en sí un logro tecnológico. Pero Goldman Sachs subraya que, tras entregar muestras, la validación por parte del cliente y la producción masiva son retos de orden completamente diferente.

Esto es especialmente cierto en memoria para servidores.Los clientes de servidores exigen mucho mayor estabilidad, compatibilidad y fiabilidad a largo plazo que los de electrónica de consumo; un nuevo producto debe superar múltiples pruebas con la plataforma CPU, motherboard y los proveedores de la nube antes de ser aprobado para compras; incluso tras la validación, hay que alcanzar un rendimiento suficientemente alto en la línea de producción para que el coste sea competitivo. La propia hoja de ruta de Samsung para 4F2 prevé terminar el desarrollo a finales de 2026, validación en 2027 y producción masiva en 2028, es decir, otros dos años tras terminar el desarrollo. Si aplicamos ese calendario, Changxin enviaría muestras a finales de 2026, pero no impactaría la oferta de mercado hasta aproximadamente 2028, y solo si supera el reto del rendimiento y el coste.

Esta es la principal razón de Goldman Sachs para considerar que el “avance tecnológico está sobrevalorado”: en base a una noticia sobre un producto en fase de diseño, el mercado ya anticipó un posible resultado que, como pronto, podría materializarse en dos años, y dependerá del rendimiento y los costes.

Diferencia de nodo: 1z versus 1b, 1c

Además de la nueva vía del 4F2, en la tecnología vigente 6F2 la diferencia entre Changxin y los coreanos sigue siendo evidente.Los nodos de DRAM evolucionaron desde 1x, 1y, 1z hasta 1a, 1b, 1c, siendo más avanzado cuanto más adelante esté la letra o número. Según datos de Goldman Sachs y TF, la producción de Samsung y SK hynix se concentra en el nodo 1b y avanza hacia 1c; la de Changxin está centrada en 1z y, con alta probabilidad, seguirá allí en 2027.

Goldman Sachs opina que sin EUV, a Changxin le será difícil avanzar a nodos más avanzados como 1b o 1c.Las fábricas globales de DRAM comenzaron a usar EUV en algunas capas hace años: SK hynix desde el nodo 1a, Samsung incluso antes. Changxin podría continuar la miniaturización sin EUV, aunque esto implica limitaciones tecnológicas y costos mayores.

La diferencia entre generaciones de producto también es clara.Por ejemplo, en la memoria de bajo consumo LPDDR para móviles y portátiles, en 2026, aproximadamente el 85% de la producción de Samsung y el 76% de SK hynix será LPDDR5 o 5X, en cambio Changxin solo llegará cerca del 29%, el resto seguirá siendo LPDDR4 o 4X. Este ratio en Changxin crecerá de casi cero en 2024 a un 14% en 2025, ritmo no lento, pero el nivel de 2026 aún estará por debajo del de las coreanas en 2024.

Diferencia de capacidad: el único indicador que se acorta rápidamente

Si las diferencias en nodo y generaciones de producto son difíciles de salvar a corto plazo, la capacidad es el aspecto que Changxin está acortando más rápido.Goldman Sachs prevé que a finales de 2026 Samsung y SK hynix tendrán una capacidad de producción mensual de DRAM de 770,000 y 660,000 obleas respectivamente, y Changxin de 290,000. Para finales de 2028, Changxin subirá rápidamente a 513,000, un crecimiento del 77% en dos años; Samsung y SK hynix ascenderán a 930,000 y 770,000, creciendo 21% y 17% respectivamente.

Según predicciones de Goldman Sachs, entre finales de 2026 y 2028, Changxin añadirá unas 223,000 obleas mensuales, superando el incremento de Samsung (160,000) y SK hynix (110,000); entre las tres, el aumento combinado será de aproximadamente 493,000 obleas, de las cuales Changxin representará el 45%.La capacidad mensual de Changxin respecto a Samsung subirá de un 38% a un 55%; respecto de SK hynix, de un 44% a un 67%. En el total combinado de las tres, la participación de Changxin aumentará de aproximadamente 17% a 23%.

Estas previsiones coinciden con las cifras de Morgan Stanley citadas en el informe detallado de agosto: Morgan calcula que la capacidad mensual de Changxin para 2026 será de unas 300,000 obleas y de 500,000 para 2028, y que en 2026 representará un 13% de la capacidad mundial de wafers DRAM, pero solo un 11% del volumen de bits despachados.Que la cuota de obleas sea superior a la de bits se debe a que Changxin tiene nodos menos avanzados y cada oblea produce menos capacidad. Ambas entidades coinciden en la visión sobre la capacidad, pero discrepan sobre cuándo estas capacidades impactarán los precios.

Goldman Sachs sigue previendo que hasta 2028 los fabricantes coreanos liderarán por amplio margen en capacidad, pero reconoce la rapidez y determinación de la expansión de Changxin.La memoria es un commodity de precio transparente; el nuevo suministro, aun desde nodos menos avanzados, mientras entre en aplicaciones principales, podrá afectar el precio marginal. La competencia de capacidad es más directa a la hora de influir en el precio central de la DRAM que la competencia tecnológica, y por eso Goldman Sachs coincide en que “el mercado había subestimado la aceleración de la capacidad”.

HBM: el mayor desfase está en los chips base

En HBM (High Bandwidth Memory), Goldman Sachs considera que las barreras para que Changxin recorte distancias son aún mayores.La HBM es una memoria apilada verticalmente con múltiples capas DRAM conectadas mediante TSVs (vias a través del silicio) y encapsulada junto a la GPU, siendo un componente clave para aceleradores de IA. Su ventaja competitiva depende no solo de la propia DRAM, sino también de la tecnología de embalaje y la capacidad de fabricar el “chip base” en la parte inferior del apilamiento.

Los chips base de generaciones iniciales como HBM3 podían fabricarse con procesos maduros.Pero para las siguientes generaciones, para soportar mayor ancho de banda y eficiencia, el chip base ya requiere procesos de fundición avanzados. Por ejemplo, el chip base de la HBM4 de Samsung usa nodo de 4nm. Para que Changxin pueda producir competitivamente la próxima generación de HBM, los fabricantes nacionales de fundición necesitarán fabricar chips base avanzados a gran escala; sin embargo, los controles de exportación limitan su acceso a equipos como EUV, por lo que el chip base puede convertirse en un cuello de botella persistente para alcanzar a los líderes en HBM.

Esto amplía la brecha tecnológica de Changxin desde el “proceso de memoria” al “proceso de fundición”.Aun si 4F2 permite a Changxin avanzar en densidad en DRAM convencional, no resuelve la dependencia de los chips base HBM respecto al proceso lógico avanzado. Por tanto, la noticia de 4F2 de Changxin tiene impacto limitado sobre el negocio HBM de los líderes coreanos.