正面回應長鑫4F2突破，美光CTO：3D DRAM「長期更可擴展和成本效益」

华尔街见闻2026/10/22 03:16

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作者:华尔街见闻

全球儲存晶片市場近期估值震盪，技術路線論戰升溫。美光總裁Scott DeBoer表示，儘管內部曾長期評估4F²架構，公司仍將堅守6F²路線並直接邁向3D DRAM，認為4F²的垂直溝道晶體管缺乏可持續擴展路徑。相比之下，先前長鑫儲存稱計劃年底推出4F²架構DDR5產品，三星亦考慮2028年引入該架構。

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近期，全球儲存晶片市場迎來新一輪估值震盪與技術路線論戰。資本市場上，費城半導體指數與儲存板塊出現較大幅度回撤；而在產業端，長鑫儲存於4F² DRAM架構上的突破性進展，引發了業界廣泛討論。

10月21日，美光總裁兼首席技術與產品官Scott DeBoer主持了一場技術與產品線上研討會，核心議題之一是回應此前長鑫披露4F²架構計畫後在投資人中引發的憂慮。

Scott DeBoer直言雖然內部曾對4F²進行長期評估與原型驗證，但美光仍將堅持現有的6F²路線，並最終直接邁向3D DRAM。美光認為，從長期演進來看，3D DRAM在「擴展性與成本效益」上是更具確定性的選擇。

他進一步解釋稱，決定DRAM位密度和成本擴展的關鍵因素是電容器間距。4F²架構的垂直溝道電晶體（VCAT）在間距縮減之外沒有可行的擴展路徑。

追風交易台消息，隨後瑞銀分析師Timothy Arcuri團隊研究報告指出，若美光判斷正確、業界最終倒向3D DRAM，沉積與蝕刻設備供應商有望從中受益。

華爾街見聞此前提及，長鑫儲存總裁曹堪宇於10月10日披露，公司計畫年底推出基於4F²架構的新一代DDR5 RDIMM，相較主流6F²架構，晶片面積可縮減約30%，單片晶圓可切割出更多晶片。

美光的核心論點：4F²不是通往未來的路

長鑫4F²技術之所以引發業界高度關注，核心在於它直擊了DRAM晶片最本質的商業痛點——單晶圓位元密度（Bit Density）與成本。

在傳統DRAM設計中，業界主流多採用6F²架構。若能成功過渡到4F²，理論上可在相同製程節點下將單元面積縮小約30%以上，單片晶圓產出的有效Die（晶片顆粒）顯著增加。

瑞銀在追蹤美光技術溝通後指出，美光向市場傳遞了其對4F²量產瓶頸的判斷：

第一，瓶頸在於電容而非電晶體。美光認為，DRAM微縮的終極瓶頸是電容間距，而非單純的電晶體單元結構。如果電容間距無法同步壓縮，單純改變為4F²結構，並不能線性轉化為持續的成本優勢。

第二，VCAT的擴展天花板。4F²通常需要引入垂直通道電晶體（VCAT）。美光指出，VCAT除了繼續壓縮間距外，缺乏可持續的後續演進路徑，且對ALD（原子層沉積）和選擇性外延等製程提出了極高的製造複雜度，量產成本可能侵蝕面積縮小的收益。

據德意志銀行分析師Melissa Weathers在其會後報告中總結，美光不僅明確表示不計畫向4F²架構過渡，還強調公司已對4F²方案進行了數十年的內部評估並開發過原型，但最終結論是：在業界邁向3D DRAM之前，6F²仍是更具吸引力的路徑。

各大廠商展現截然不同的技術考量

瑞銀的分析指出，美光的這一表態實際上是在平行推進兩條技術路線，類似於其在1-beta節點上對EUV採用與否所作的兩手準備。公司認為3D DRAM最終將與其路線圖匯合，並視其為「更具可擴展性和成本效益」的長期方案。

但美光的邏輯並不能代表整個業界的共識。

瑞銀同期的研究顯示，除了長鑫在此方向全力突破外，業界龍頭三星亦被傳出計畫在未來的0a nm節點考慮引入4F²架構，以舒緩電容高深寬比帶來的製程壓力。

三星計畫於2027年完成1d nm節點的6F²量產之後，在2028年底前推進0a nm節點的4F²導入。

美光的技術敘事

在直接回應4F²質疑之外，美光此次研討會亦著力強調自身的全面技術布局。

AI記憶體圖譜外延：美光強調，AI對記憶體的需求不僅是單一層面的訓練HBM，還包括推理、邊緣AI、自動駕駛所需的LPDDR6、DDR6、SOCAMM以及1TB大容量RDIMM。

先進封裝與邏輯整合：美光將混合鍵合（Hybrid Bonding）視為未來16-High及更高規格HBM的核心護城河，並積極推進與晶圓代工廠合作開發vHBM（垂直堆疊記憶體於運算核心之上）。美光試圖證明，AI時代的儲存競爭已從「單位比特成本控制」遷移到「記憶體、封裝與邏輯架構的系統級協同」。

NAND價值重塑：美光同時展示了超過400層的Gen11 NAND路線圖，強調AI時代針對高IOPS與高頻寬的高效能儲存需求，力圖構建DRAM與NAND協同的綜合壁壘。