2027年将迎来史上最严重内存荒？

7月10日，SK海力士登陆纳斯达克当天，公司首席执行官郭鲁正警告，全球存储芯片行业将在2027年迎来史上最严重的供应短缺，客户需求超过产能的局面甚至可能持续到2030年之后。 此前，美光首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉也表示，目前尚不清楚供应何时才能追上持续攀升的需求。英伟达创始人黄仁勋则判断，AI存储短缺将延续数年，SK海力士仍将是英伟达最大的存储供应商。 三位产业核心人物密集发出警告，背后是一场由AI推动、可能四十年一遇的“内存荒”。 过去几十年，DRAM一直是最典型的周期性商品：需求上来，厂商扩产，产能释放，价格下跌。但这一轮不同，AI在制造新的需求的同时，还在压缩供给。 从2023年开始，HBM（AI高带宽内存）需求快速上升。三星、SK海力士和美光三大存储厂商用于HBM的晶圆产能，从2023年底约12.3万片/月增至2025年底约33.1万片/月，预计2027年底达到约66.8万片/月。届时，HBM可能占三大储存厂商DRAM总晶圆产能的35%。 问题在于，HBM不是普通DRAM。它需要更大的芯片面积、硅通孔、晶圆减薄、背面加工和复杂堆叠，制造难度更高，良率更低。以HBM3E 12层堆叠为例，同样一片晶圆，普通DRAM的比特产出约是HBM的3倍；进入HBM4后，差距可能扩大到接近4倍。 这意味着，厂商越积极转向HBM，普通DRAM反而越紧缺。SemiAnalysis预计，2026年至2027年，商品DRAM供应缺口可能持续约7%；HBM缺口则可能从2026年的约6%扩大至2027年的约9%。这是一场罕见的双重短缺，AI服务器争夺HBM，PC、手机和通用服务器争夺剩余DRAM产能。 供应端也难以迅速响应。新建先进存储晶圆厂需要数十亿美元投入和多年建设周期，洁净室、设备搬入、验证和良率爬坡都需要时间。2026年的新增产能主要集中在三星P4、SK海力士M15X和美光A3，而且后两者仍将优先服务HBM。真正大规模的新产能，可能要到2027年下半年才能逐步释放。 价格因此加速上涨。报告预计，2026年第一季度DDR5和LPDDR5合约价环比分别上涨70%和35%；按2025年四季度至2026年四季度计算，DRAM价格还可能再翻一倍。 超级周期是一把双刃剑。存储厂商利润改善，但手机、PC和AI服务器厂商的物料成本却持续上升，终端只能通过涨价、降配或削减出货量来消化压力。 真正决定周期何时结束的，不只是需求放缓，而是新晶圆厂投产、1b与1c节点迁移、HBM4良率提升，以及厂商是否再次失去资本纪律。至少目前看，这轮由AI推动的内存周期，可能比过去更大，也更久。