Phản hồi tích cực về đột phá của Changxin 4F2, CTO của Micron: 3D DRAM "có khả năng mở rộng và hiệu quả về chi phí lâu dài hơn"

Việc Changxin phát triển công nghệ 4F² thu hút quan tâm lớn của ngành chủ yếu vì nó chạm trực tiếp vào nỗi đau thương mại lớn nhất của chip DRAM: mật độ bit trên mỗi wafer cùng chi phí.

Trong thiết kế DRAM truyền thống, ngành chủ yếu sử dụng kiến trúc 6F². Nếu chuyển sang 4F² thành công, về lý thuyết có thể giảm diện tích đơn vị trên cùng nút công nghệ hơn 30%, số chip thành phẩm trên mỗi tấm wafer sẽ tăng đáng kể.

UBS sau khi trao đổi kỹ thuật với Micron đã chỉ ra, Micron truyền đạt tới thị trường nhận định về nút thắt cổ chai trong việc sản xuất đại trà 4F²:

Thứ nhất,nút thắt nằm ở tụ chứ không phải transistor. Micron cho rằng, điểm giới hạn cuối cùng của DRAM là khoảng cách giữa các tụ chứ không phải cấu trúc đơn vị transistor. Nếu không đồng thời nén khoảng cách tụ, việc chỉ thay đổi sang cấu trúc 4F² không chuyển hóa trực tiếp thành lợi thế chi phí bền vững.

Thứ hai, trần mở rộng của VCAT. 4F² thường phải sử dụng transistor kênh dọc (VCAT). Micron chỉ ra, VCAT ngoài việc tiếp tục nén khoảng cách không có hướng mở rộng bền vững, lại đặt ra yêu cầu sản xuất cực cao với các công nghệ như ALD (lắng đọng lớp nguyên tử) và epitaxy chọn lọc, chi phí sản xuất có thể ăn mòn lợi ích về diện tích.

Phân tích từ Melissa Weathers của Deutsche Bank tổng kết sau cuộc họp, Micron không chỉ khẳng định không dự định chuyển sang kiến trúc 4F², mà còn nhấn mạnh công ty đã đánh giá nội bộ phương án 4F² trong hàng chục năm và từng phát triển nguyên mẫu, song kết luận cuối cùng là: trước khi ngành bước sang 3D DRAM, 6F² vẫn là lựa chọn hấp dẫn hơn.

Các hãng lớn với cân nhắc kỹ thuật hoàn toàn khác nhau

UBS phân tích Micron thực chất đang tiến song song hai hướng công nghệ, giống như cách công ty chuẩn bị cho khả năng sử dụng hoặc không sử dụng EUV ở nút 1-beta. Công ty cho rằng cuối cùng 3D DRAM sẽ hội tụ vào lộ trình của họ và xem nó là phương án dài hạn “có khả năng mở rộng và hiệu quả chi phí cao hơn”.

Nhưng logic của Micron không đại diện cho đồng thuận ngành.

Nghiên cứu đồng thời của UBS cho thấy, ngoài Changxin toàn lực đột phá hướng này, ông lớn Samsung cũng được cho là sẽ cân nhắc áp dụng 4F² ở nút 0a nm tương lai nhằm giải tỏa áp lực công nghệ do tỷ lệ chiều sâu/rộng cao của tụ.

Samsung dự định sau khi hoàn thành sản xuất đại trà 6F² ở nút 1d nm vào năm 2027, sẽ thúc đẩy phát triển 4F² ở nút 0a nm trước cuối năm 2028.

Bên cạnh phản hồi trực tiếp nghi vấn về 4F², hội thảo này của Micron cũng nhấn mạnh chiến lược kỹ thuật toàn diện của họ.

Bản đồ nhớ AI mở rộng: Micron nhấn mạnh, nhu cầu bộ nhớ AI không chỉ ở huấn luyện HBM mà còn gồm cả LPDDR6, DDR6, SOCAMM và RDIMM dung lượng lớn 1TB cho inference, AI biên, xe tự lái.

Đóng gói tiên tiến và tích hợp logic: Micron xem liên kết lai (Hybrid Bonding) là hào lũy cốt lõi với HBM 16-High và hơn thế, đồng thời chủ động hợp tác sản xuất với các nhà máy wafer để phát triển vHBM (bộ nhớ xếp dọc trên lõi tính toán). Micron cố gắng chứng minh cuộc cạnh tranh lưu trữ trong kỷ nguyên AI đã chuyển từ “kiểm soát chi phí từng bit” sang “hệ sinh thái phối hợp giữa bộ nhớ, đóng gói và kiến trúc logic ở cấp độ hệ thống”.

Tái định hình giá trị NAND: Micron cũng giới thiệu roadmap NAND Gen11 với hơn 400 lớp, nhấn mạnh nhu cầu lưu trữ hiệu suất cao đáp ứng AI về IOPS và băng thông lớn, nỗ lực xây dựng hàng rào tổng hợp kết hợp DRAM và NAND.