抄底資金來了！半導體和韓國ETF獲強勁資金流入，記憶體板塊持續「失血」

儘管近期價格走勢疲弱，但全球ETF投資者正以創紀錄的規模和極高的槓桿率「抄底」半導體和韓國市場，而記憶體板塊卻遭到無情拋售。

據追風交易台消息，摩根大通10月19日發布的最新資金流向報告顯示，全球股票ETF單週（10月16日當週）狂攬463億美元，其中3倍做多半導體ETF（SOXL）創下72億美元的歷史最高資金流入，韓國ETF迎來今年7月以來最強資金流入。然而，資金在科技板塊內部出現顯著分化，DRAM（記憶體）主題ETF連續第八週遭遇資金流出。

報告稱，當前市場呈現出典型的「恐慌性抄底」特徵——散戶和激進投資者藉助高槓桿工具押注AI相關半導體反彈，但機構CTA策略基金同步減倉美股，兩股力量的博弈值得高度關注。記憶體與韓國整體市場的資金背離，則暗示市場對儲存晶片基本面的擔憂並未消散。

此外，CTA（商品交易顧問）基金開始削減美股部位並放空羅素2000指數，固收市場則出現從長期國債向市政債券的輪動。

槓桿資金瘋狂抄底，半導體與韓國市場成吸金主力

投資者對AI和科技股的信仰依然堅定，甚至動用了創紀錄的槓桿工具。

數據顯示，槓桿ETF產品單週資金流入達到創紀錄的93億美元。其中，半導體板塊成為絕對的吸金主力，半導體ETF總計流入約76億美元。值得注意的是，3倍做多半導體ETF（SOXL）單週資金流入高達72億美元，創下歷史新高，是此前週高點的三倍。

此外，韓國市場也迎來自7月以來最強勁的買盤，單週流入13億美元，其中約一半的資金湧入了3倍做多韓國ETF（KORU，約6億美元）。其他槓桿產品如TQQQ（流入約8億美元）和做空類槓桿SOXS（流入約5億美元）也獲得了顯著的資金關注。

儘管韓國市場（以半導體和儲存芯片出口為主）獲得強勁買盤，但科技板塊內部的資金流向卻呈現出劇烈分化。記憶體主題ETF（DRAM）連續第八週遭遇資金流出，並創下迄今為止最大的單週贖回規模（流出9億美元）。

分析認為，這一現象表明，儘管投資者願意通過寬基韓國ETF博取反彈，但對以SK海力士、美光等為代表的儲存芯片細分賽道，市場仍持明顯的規避態度。

美股其他板塊遭拋售，CTA基金削減美股部位

剝離科技板塊的狂熱，美股其他行業的資金流向普遍疲軟。工業板塊遭遇重挫，資金流出16億美元，房地產、非必需消費品、公用事業和材料板塊也均遭遇拋售。

從系統性資金來看，CTA基金很可能已經削減了美股部位，因為標普500指數和納斯達克100指數在週五跌破了50日移動平均線。

此外，CTA對羅素2000指數（RTY）的信號已翻轉為做空。CFTC持倉數據也印證了這一點，資產管理公司賣出了羅素2000和中盤股（MID）期貨，而槓桿基金則增加了2年期和10年期美國國債的空頭部位。

固收市場發生輪動，新興市場與黃金獲青睞，加密貨幣遭拋售

在固定收益方面，近期「逢低買入」的勢頭有所降溫，單週流入100億美元。投資者在債券內部進行了明顯的輪動：資金大幅撤出長期國債（流出34億美元）和抵押貸款支持證券（流出8億美元），轉而湧入市政債券（流入51億美元，連續第三週出現強勁買盤）。

在新興市場方面，巴西在最終選舉輪投票前繼續吸引強勁資金流入（12億美元）。大宗商品方面，貴金屬吸引了11億美元的資金流入，主要由黃金ETF GLD（流入8億美元）領導。而在貨幣/多資產類別中，加密貨幣ETF遭遇了7億美元的資金流出。