三星HBM4E良率已超70%，下一代DRAM工艺D1d目标11月获生产准备批准

BlockBeats 消息，7 月 1 日，三星电子在全球首个 HBM4（第六代）量产后，正在 HBM4E（第七代）和下一代 DRAM 开发方面取得进展。三星电子 DS 部门 CTO 兼半导体研究所所长 Song Jae-hyuk 在 6 月 30 日举行的内部经营现状说明会上表示，HBM4E 可靠性测试良率已提升至 70% 以上。业内通常认为，良率超过 80% 即进入工艺稳定的「成熟良率」阶段；考虑到 HBM4E 仍处于可靠性测试阶段，70% 以上被视为开发正进入稳定区间的指标。

三星电子今年 2 月已率先量产出货 HBM4，并于 5 月 29 日公开 HBM4E 12 层产品详细技术规格，向主要客户出货样品。HBM4 将用于英伟达下半年推出的 AI 加速器 Vera Rubin，HBM4E 则预计用于英伟达明年推出的下一代 AI 加速器 Vera Rubin Ultra 等产品。

三星下一代 DRAM 工艺开发也进展顺利。Song Jae-hyuk 认为，D1d 工艺技术竞争力相较竞争对手具备优势，并正以 11 月获得生产准备批准为目标推进开发。D1d 是三星计划从下一代 HBM5（第八代）起应用的核心 DRAM 工艺，若按计划推进，将对下一代 DRAM 及 HBM5 后续产品竞争力产生积极影响。（Fnnews）