Позитивна відповідь на прорив ChangXin 4F2, CTO Micron: 3D DRAM "довгостроково більш масштабована та ефективна за витратами"
Світовий ринок чипів пам'яті нещодавно переживає цінові коливання, а дискусії щодо технологічних стратегій посилюються. Президент Micron, Scott DeBoer, заявив, що навіть попри тривалу внутрішню оцінку архітектури 4F², компанія залишиться відданою стратегії 6F² і перейде безпосередньо до 3D DRAM, вважаючи, що вертикальні транзистори каналу в 4F² не мають стійкої перспективи подальшого розвитку. Водночас раніше CXMT оголосила про плани випустити продукцію DDR5 на архітектурі 4F² до кінця року, а Samsung також розглядає можливість впровадження цієї архітектури у 2028 році.
Нещодавно світовий ринок чипів пам’яті пережив новий виток переоцінки та дискусій щодо технологічних напрямків. На фондовому ринку Індекс Філадельфійських напівпровідників та сегмент пам’яті значно скоригувалися; водночас у виробничому секторі прорив компанії ChangXin Memory у архітектурі 4F² DRAM викликав широкий резонанс у галузі.
21 жовтня президент і директор з технологій та продуктів Micron Скотт Дебоер провів вебінар, присвячений технічним і продуктовим питанням, однією з головних тем якого була відповідь на занепокоєння інвесторів, що виникли після оголошення ChangXin про плани щодо архітектури 4F².
Скотт Дебоер прямо заявив хоча всередині компанії довгий час вивчали та тестували прототип 4F², Micron все ж дотримуватиметься наявного технологічного маршруту 6F² і зрештою безпосередньо перейде до 3D DRAM. На думку Micron, у довгостроковій перспективі 3D DRAM є більш визначеним варіантом щодо “масштабованості та ефективності витрат”.
Він додатково пояснив, що ключовий фактор, який визначає бітову щільність і зниження собівартості DRAM,— це міжелектродна відстань конденсаторів.У вертикальних канальних транзисторах (VCAT) архітектури 4F², окрім зменшення відстані, немає життєздатних шляхів подальшої еволюції.
За даними Zhui Feng Trading Desk, згодом у звіті аналітичної групи UBS під керівництвом Тімоті Аркурі зазначено, що якщо Micron має рацію і галузь у підсумку переходить на 3D DRAM, виробники обладнання для напилення та травлення можуть отримати вигоду.
За інформацією “UA Вісті з Уолл-стріт", президент ChangXin Memory Цао Каньюй 10 жовтня розповів, що компанія планує до кінця року випустити нове покоління DDR5 RDIMM на базі архітектури 4F², яке дозволить зменшити площу чипа приблизно на 30% у порівнянні з основною архітектурою 6F², і вирізати більше чипів з одного кристалу.
Ключова позиція Micron: 4F² — це не шлях у майбутнє
Висока увага до технології ChangXin 4F² обумовлена тим, що вона прямо спрямована на найгострішу бізнес-проблему DRAM-чипів — щільність бітів на кристал та собівартість.
У традиційному дизайні DRAM індустрія в основному використовує архітектуру 6F². Перехід до 4F² у теорії дозволяє зменшити площу елемента понад 30% на тому ж техпроцесі, значно підвищуючи кількість ефективних кристалів (die) з одного кремнієвого плаcтину.
UBS у ході технологічного діалогу з Micron наголосив на їхній оцінці потенційних вузьких місць масового впровадження 4F²:
По-перше, вузьким місцем є конденсатор, а не сам транзистор. На думку Micron, остаточна межа мініатюризації DRAM — це міжелектродна відстань конденсаторів, а не виключно структура клітинки транзистора. Якщо міжелектродну відстань не можна пропорційно зменшити, просто перейти до 4F² не означає лінійного та стабільного скорочення собівартості.
По-друге, обмеження розвитку VCAT. 4F² зазвичай вимагає використання вертикального канального транзистора (VCAT). Micron підкреслює, що у VCAT, окрім подальшого стискання розміру, бракує сталого шляху до наступного технологічного переходу, а до технологій ALD (атомно-шарове осадження) та селективної епітаксії пред’явлені дуже високі вимоги, тому вартість у масовому виробництві може перекрити вигоду від зменшеної площі.
Як підсумувала аналітикиня Deutsche Bank Мелісса Везерс у звіті після заходу, Micron не тільки чітко заявила, що не планує переходити до архітектури 4F², але й наголосила, що десятки років вивчала цей підхід і розробляла прототипи, але остаточний висновок такий: 6F² залишається привабливішим шляхом до появи 3D DRAM на ринку.
Провідні гравці галузі мають різні технологічні погляди
За оцінкою UBS, така позиція Micron фактично означає паралельне ведення двох інженерних напрямків, чимось нагадуючи одночасну підготовку до ймовірного впровадження чи відмови від EUV на вузлі 1-beta. Компанія вважає, що 3D DRAM зрештою співпаде з її дорожньою картою та розцінюється нею як довгострокове рішення з більшою масштабованістю та економічною ефективністю.
Проте аргументація Micron не формує спільну думку всієї галузі.
Дослідження UBS показують, що окрім ChangXin, який активно проривається у цьому напрямку, ринковий лідер Samsung також розглядає запровадження архітектури 4F² на майбутньому вузлі 0a нм, щоб знизити технологічні труднощі, пов’язані з великим співвідношенням висоти до ширини конденсатора.
Samsung планує після завершення масового виробництва на вузлі 1d нм (6F²) у 2027 році впровадити на вузлі 0a нм (4F²) до кінця 2028 року.
Технічна стратегія Micron
Окрім прямої відповіді на сумніви щодо 4F², Micron також підкреслила свою всебічну технологічну екосистему на поточному семінарі.
Розширення пам’яті для AI: Micron підкреслила, що потреби AI у пам’яті виходять далеко за межі виключно HBM для навчання і охоплюють інферентний AI, edge-AI, автономне керування з LPDDR6, DDR6, SOCAMM і великі RDIMM об'ємом 1 ТБ.
Сучасні корпусування та логічна інтеграція: Micron розглядає гібридне склеювання (Hybrid Bonding) як основну конкурентну перевагу для HBM у 16-шаровому виконанні і вище, а також активно співпрацює з підрядниками з випуску пластин для розробки vHBM (вертикальне компонентне компонування пам’яті над обчислювальним ядром). Компанія прагне довести, що конкурентна боротьба на ринку пам’яті епохи AI перемістилася від “контролю вартості одного біта” до “системної координації між пам’яттю, корпусуванням і логічними архітектурами”.
Переоцінка NAND: Micron також презентувала маршруту розвитку Gen11 NAND з понад 400 шарами, акцентуючи на вирішенні високих вимог AI до IOPS й пропускної здатності, і прагне вибудувати комплексний оборонний бар’єр завдяки кооперації DRAM і NAND.
Реальний вплив ChangXin 4F²: чи не завищена оцінка ринку?
Стосовно побоювань, спричинених оголошенням ChangXin щодо 4F², низка аналітичних компаній раніше вже робила досить обережні оцінки.
На думку Nomura Securities, протягом найближчого періоду до 2028 року “ані 4F², ані 3D DRAM не дадуть суттєвого ефекту”, а масове виробництво на архітектурі 4F² у ChangXin очікується не раніше 2027–2028 років. CITIC Securities також звертає увагу, що 4F² наразі проходить лише початкову фазу верифікації — рентабельність, обсяги виробництва та клієнтські затвердження ще потрібно спостерігати, а вплив на структуру галузі середньострокової перспективи обмежений.
Щодо власної позиції ChangXin на ринку, її бізнес High Bandwidth Memory ще перебуває на старті, тож у короткостроковій перспективі компанія навряд чи скористається високими преміями у цьому сегменті, спричиненими попитом на AI-потужності. В умовах суттєвого зниження темпів зростання цін на універсальну DRAM ця структурна особливість обмежує можливості хеджування.
За даними TrendForce, контрактні ціни на універсальну DRAM, які в першому кварталі 2026 року зросли на 93–98% у порівнянні з попереднім періодом, у кожному наступному кварталі знижуються: у третьому кварталі — до 13–18%, а у четвертому очікується ще більше зниження — до 10–15%.
Відмова від відповідальності: зміст цієї статті відображає виключно думку автора і не представляє платформу в будь-якій якості. Ця стаття не повинна бути орієнтиром під час прийняття інвестиційних рішень.
Вас також може зацікавити
SI-бізнес стрімко розвивається, зміцнює тенденцію зростання! UBS прогнозує для SpaceX(SPCX.US) ціну до 230 доларів
UBS вважає, що SpaceX продовжує відповідати високим очікуванням ринку, і ця тенденція збережеться. UBS присвоїв SpaceX рейтинг "купувати" з 12-місячною ціл ьовою ціною 230 доларів.
Ілон Маск відкрито підтримує злиття SpaceX (SPCX.US) та Tesla (TSLA.US), інсайдери стурбовані можливими змінами в переговорах
На цьому тижні Ілон Маск відкрито підтримав потенційне злиття SpaceX та Tesla, ал е це викликало занепокоєння серед внутрішніх учасників обговорення. Вони побоюються, що такі заяви можуть призвести до посиленої уваги з боку акціонерів і затримати процес угоди на кілька тижнів.
Ціни на криптовалюти
Більше
