Nvidiaが再び株価を牽引：Navitas Semiconductorがプレマーケットで24％急騰、800V AI電源革命に賭け

ナノセミコンダクターの株価はプレマーケットで大幅に上昇し、AIインフラ投資ブームの最新の恩恵を受ける銘柄となった。同社はNVIDIA MGXエコシステムとの提携を発表し、800VDC AIインフラ構築を共同で推進することで、市場のセンチメントを押し上げた。

同社は5月29日に台北南港展示センターで開催されたNVIDIAのパートナーセレモニーに参加し、COMPUTEX 2026の展示会で800Vから6VへのDC-DCパワーディストリビューションボード（PDB）製品を展示している。この製品はAIデータセンターの800VDCラックアーキテクチャ向けに設計されており、システム効率と電力密度の向上を目的としている。

ナノセミコンダクターのCEOであるChris Allexandre氏は、AIワークロードが拡大し続ける中で、電力伝送は次世代ギガワット級AI工場を構築するうえで最も重要な課題の一つであると述べた。

この発表を受けて、ナノセミコンダクターの株価はプレマーケットで22%超の上昇を記録した。同株は過去1年間で335%の上昇、年初来では262%の上昇となっており、時価総額は約62.1億ドルに達している。

中間変換段階を排除し、GPUへの直接給電を実現

ナノセミコンダクターが今回展示した800Vから6Vのパワーディストリビューションボードは、NVIDIA MGXエコシステムへの参画の中核製品である。

本製品の主なイノベーションは、計算サーバートレイ内の従来の48Vインターミディエイトバスコンバーター（IBC）段階を直接排除し、システム効率と信頼性を最大化するとともに、貴重な物理スペースを節約できることにある。

技術的な仕様を見ると、本パワーディストリビューションボードには16個のGaNFastパワーFETが搭載され、定格電圧は650V、オン抵抗は11ミリオーム、最新のDFN8×8両面放熱パッケージを採用し、ピーク効率は97.5%を目指し、スイッチング周波数は1MHz、電力密度は2100W/in³に達する。

さらに、このボードの厚さはスマホより約20%薄く、極薄デザインによりGPUボードと至近距離での統合が可能となり、トランジェント性能を最大化し配電効率の向上を実現している。

ワイドバンドギャップ半導体の組み合わせ：グリッドからGPUまで全リンク給電をカバー

ナノセミコンダクターが今回の提携で示したのは、単なる製品ではなく、AI工場の電源全工程に対応するワイドバンドギャップ（WBG）半導体技術のバリエーションである。

SiC（シリコンカーバイド）分野では、同社のGeneSiCソリューションがグリッドからAIコンピュータラックへの高効率な電力伝送をサポートし、2300V及び3300VのSiCパワーモジュールを搭載したソリッドステートトランスや、第五世代技術の1200V SiC MOSFETを使用した高出力三相電源ユニットをカバーしている。

GaN（ガリウムナイトライド）分野では、GaNFast技術はMHz駆動、高い電力密度、より迅速なトランジェント応答により、ラックレベルからGPUへのダイレクトかつ高効率な電力伝送を実現。同社は現在、300件を超える許可済みまたは審査中の特許を有する。

株価上昇の背景：売上が予想超えも、バリュエーションの議論は残る

ナノセミコンダクターの最近の株価の強さは、ファンダメンタルの改善の影響も一因となっている。

同社が発表した2026年度第1四半期の売上は860万ドルで、市場予想の818万ドルを上回った。一方で、一株当たり損失は0.15ドルで、予想の0.05ドルの損失を大きく下回った。

また、同社は最近、1億2200万ドル規模のアット・ザ・マーケット（ATM）株式調達を完了し、Craig-Hallum Capital Group LLCとUBS Securitiesと販売契約を結び、最大1億2500万ドルのクラスA普通株を発行予定。調達資金は主に高出力市場とAIインフラ分野での戦略展開に充当される見通しである。

なお、アナリストによると、年初来で大きく上昇した背景を踏まえ、現時点での株価は公正価値推計に比べて割高状態にあるという見方が示されている。