Abandono de 4F², producción en masa de HBM4, aceleración de G11 NAND... El seminario técnico de Micron (MU.US) revela la hoja de ruta; JPMorgan mantiene la calificación de “sobreponderar”.

Según información de la APP de Noticias Financieras de Zhihui (智通财经APP), el último informe de investigación de JPMorgan señala que Micron Technology (MU.US) presentó en su seminario web de tecnología para inversores, realizado el 21 de octubre, los últimos avances tecnológicos e iniciativas de planificación a largo plazo en sus tres líneas principales: DRAM, HBM y NAND. El equipo de análisis dirigido por Harlan Sur considera que la hoja de ruta tecnológica de Micron es clara y con visión de futuro, por lo que se espera que siga beneficiándose del aumento de la demanda de almacenamiento impulsada por la IA, y mantiene su calificación de “sobreponderar”.

Persistencia en la arquitectura DRAM de 6F² y desarrollo paralelo de 3D DRAM

JPMorgan remarca en su informe que, en cuanto a la evolución de la arquitectura DRAM, Micron respondió de forma clara al debate de la industria sobre las rutas tecnológicas 6F² frente a 4F². Micron indicó que la próxima generación de nodos DRAM continuará utilizando la arquitectura 6F², y no la 4F². La empresa confía firmemente en mantener su liderazgo en consumo y rendimiento mediante estricta reducción de nodos, innovaciones de proceso y optimización a nivel de producto.

Micron reveló que llevan aproximadamente 20 años investigando la DRAM 4F², pero finalmente decidieron no adoptarla debido a su mayor complejidad de proceso y costo, y consideraron que los beneficios de reducción de nodo eran limitados.

JPMorgan detalla en el informe tres desafíos principales que enfrenta la arquitectura 4F² durante la fabricación: primero, requiere procesos de deposición y grabado más densos, lo que aumenta significativamente la probabilidad de problemas de rendimiento; segundo, el 4F² tiene requisitos más estrictos de tolerancia de proceso (como overlay y alineación), lo que añade presión sobre la manufacturabilidad y el rendimiento; y tercero, esta arquitectura tiende a inducir el “efecto cuerpo flotante” (Floating Body Effect), provocando que la carga quede atrapada en el canal del transistor, lo que lleva a disminución en el rendimiento y fugas eléctricas.

Además, Micron refutó la idea de que el 4F² tiene una mayor densidad que el 6F², subrayando que la densidad de bits de la DRAM está determinada por el espaciamiento del capacitor (Capacitor Pitch), y no por el espaciamiento de interconexión de las capas inferiores (Interconnect Pitch).

De acuerdo a la hoja de ruta actualmente publicada, en las próximas generaciones de nodos DRAM, Micron seguirá utilizando la arquitectura plana basada en 6F² (previendo su continuidad hasta 2030), mientras desarrolla en paralelo la tecnología 3D DRAM.

Hoja de ruta HBM se expande, enfoque en personalización y apilado vertical

En el tan seguido campo de las HBM, Micron indicó que HBM4 ya se encuentra en etapa de producción masiva, con avance estable, y que la próxima generación, HBM4E, ya figura en la hoja de ruta y este año se encuentra en fase de muestra con clientes clave.

De cara al futuro, Micron prevé la coexistencia a largo plazo de HBM estándares y HBM personalizados. La HBM personalizada integra memoria IP y lógica IP en el dado base (Base Die), facilitando un diseño colaborativo más profundo con los clientes. El equipo de Micron señaló que tanto productos JEDEC HBM estándar como personalizados utilizarán nodos de fundición, y que HBM4E, por sus mayores exigencias de velocidad, consumo y funcionalidad, requerirá procesos CMOS más avanzados.

Además de las HBM estándar y personalizadas, Micron enfatizó la importancia estratégica a largo plazo de la HBM vertical (Vertical HBM) y la memoria para inferencia en el borde vertical (vEIM). La HBM vertical ubica la memoria directamente sobre el procesador, acortando el camino entre almacenamiento y computación y permitiendo un considerable aumento de ancho de banda; mientras que vEIM adopta un enfoque similar pero optimizado para aplicaciones de IA en el borde de bajo consumo (es decir, la HBM vertical se especializa en ancho de banda alto, vEIM en bajo consumo).

Micron subrayó que la importancia del ensamblado híbrido, un mayor número de capas apiladas, la gestión térmica avanzada y el diseño colaborativo con clientes destaca cada vez más en la hoja de ruta de HBM. Sin embargo, a medida que progresan HBM, Vertical HBM y vEIM, estos productos consumen más obleas en comparación al DRAM estándar, lo que implica que la relación de conversión de oblea a bits continuará bajo presión.

NAND avanza directamente a G11, productos de nivel IA expanden mercado

En el área NAND, tras pasar del nodo G7 al G9 con liderazgo, Micron salta directamente al nodo G11 optimizado para cargas de trabajo de IA. En comparación con G9, el objetivo de G11 es duplicar la densidad de bits, aumentar hasta un 50% la velocidad de I/O y reducir en más del 25% el consumo energético por bit transmitido, alcanzando más de 400 capas de apilado.

El nodo G11 marca también la introducción de la tecnología de unión de oblea sobre oblea (Wafer-on-Wafer) en la fabricación de NAND de Micron. Se espera que G11 entre en producción a gran escala en la segunda mitad de 2027, y la compañía anunciará más detalles el año próximo. Micron además busca mantener la reducción de nodos tras G11 empleando nuevos materiales y arquitecturas de mayor densidad celular.

A nivel de producto, Micron desarrolla dos tipos de NAND para IA: primero, un diseño SLC de alta velocidad (ofreciendo de 25 a 100 millones de IOPS), pensado para procesadores GPU que necesitan extraer grandes volúmenes de pequeños bloques de datos para búsquedas vectoriales y recuperación de contexto de IA; segundo, mediante TSV se apila el dado NAND sobre un chip lógico, posicionando pesos de modelo, contextos extensos y caché KV más cerca del acelerador (no necesariamente al lado de la GPU, ya que Micron no ve ventaja en ello). Siendo costosa la segunda solución, Micron la desarrolla conjuntamente con clientes, y se espera que la cuota de mercado de ambos productos varíe según el segmento.

En cuanto a SSD de centro de datos, Micron fue el primero en producir en masa unidades PCIe Gen6 SSD y en entregar discos duros de 245TB; los nodos avanzados de la empresa llevan los costes por bit a niveles más bajos, lo que favorece el crecimiento de discos de mayor capacidad. JPMorgan considera que la hoja de ruta NAND de Micron le permite capitalizar plenamente el crecimiento de la demanda de almacenamiento impulsada por IA, y podría mantener o incluso ampliar su cuota en el top 3 mundial de SSD empresariales (eSSD).

Colaboración profunda con clientes y desarrollo de largo plazo, IA mejora radicalmente la eficiencia

Micron explicó en detalle el cambio radical en su modelo de colaboración con clientes. A diferencia de tres o cuatro años atrás, actualmente la cooperación arranca desde la conceptualización, abarcando diseño conjunto, certificación y hasta producción en masa, incluyendo proyectos a medida con varios proveedores de servicios en la nube (CSP). Por ejemplo, Micron está personalizando LPDDR6 para centros de datos de Meta (META.US); y Weka evolucionó de formar parte del portfolio de Micron Ventures a ser un socio comercial.

En I+D, la inversión a largo plazo de Micron abarca tres horizontes: primero, el compromiso de invertir 550 millones de dólares en Micron Ventures a 3-10 años; segundo, una colaboración con Albany NanoTech/NY CREATES durante 5-10 años para desarrollar alta apertura numérica (High-NA) EUV y hoja de ruta de litografía para DRAM; y tercero, la inauguración este verano de Micron Research Labs, destinado a ciclos de más de 10 años, con una inversión de 10.000 millones de dólares.

Además, Micron está implementando tecnologías de IA en todo el ciclo de desarrollo, desde la investigación temprana hasta la fabricación. Los datos muestran que, en su último controlador SSD para centro de datos, el diseño y verificación asistidos por IA han reducido a la mitad el tiempo de tape-out respecto a la generación previa; los firmware generados por IA, el análisis de causa raíz y la selección inteligente de pruebas han recortado en un 60% el tiempo necesario para que el silicio de los SSD de centro de datos esté listo para clientes.

El objetivo de Micron es acelerar por dos la transición desde la innovación hasta la producción en volumen (HVM), y ya está fortaleciendo la colaboración con proveedores de sectores como litografía, encapsulado/ensamblaje híbrido y procesos de películas delgadas. JPMorgan considera que estos esfuerzos son cruciales para que Micron pueda avanzar en proyectos múltiples en paralelo.