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SK hynix anunció el día 4 que, junto con SanDisk, han publicado la primera especificación estándar para la próxima generación de tecnología de almacenamiento High Bandwidth Flash (HBF). Se informa que esta especificación es el primer resultado de la cooperación iniciada en agosto del año pasado para estandarizar HBF y la creación de una alianza en febrero de este año, desarrollándose durante aproximadamente seis meses. La especificación define dos configuraciones de capacidad: una con el apilad

SK hynix anunció el día 4 que, junto con SanDisk, han publicado la primera especificación estándar para la próxima generación de tecnología de almacenamiento High Bandwidth Flash (HBF). Se informa que esta especificación es el primer resultado de la cooperación iniciada en agosto del año pasado para estandarizar HBF y la creación de una alianza en febrero de este año, desarrollándose durante aproximadamente seis meses. La especificación define dos configuraciones de capacidad: una con el apilad

智通财经智通财经2026/08/04 00:45
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SK Hynix anunció el día 4 que, junto con SanDisk, publicaron conjuntamente la primera especificación estándar para la próxima generación de tecnología de almacenamiento High Bandwidth Flash (HBF). Según lo informado, esta especificación estándar es el primer resultado importante tras la colaboración iniciada para la estandarización de HBF entre SK Hynix y SanDisk en agosto del año pasado y la creación de una alianza en febrero de este año, con un desarrollo que llevó aproximadamente seis meses. La especificación define dos configuraciones de capacidad que utilizan pilas de chips NAND de 8 y 16 capas, soportando hasta 512GB de capacidad; además, establece estándares de ancho de banda divididos en tres niveles (Grado 1~3) cubriendo capacidades de transmisión de datos que van desde aproximadamente 0,4TB/s hasta 3,0TB/s.
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