¡La competencia por HBM se intensifica! Samsung planea ampliar la capacidad de producción de procesos de 4 nanómetros, aumentando la presión competitiva para SK hynix (SKHY.US) y Micron (MU.US).

Según ha sabido Jinse Finance APP, Samsung Electronics se está preparando para ampliar su capacidad de producción avanzada bajo contrato, ya que la demanda de la próxima generación de chips de memoria ha aumentado drásticamente, llevando su línea de producción de 4 nanómetros a pleno rendimiento.

Esta medida podría intensificar la competencia con SK Hynix (SKHY.US) y Micron (MU.US): los tres grandes del sector de la memoria están luchando por la cuota en el próspero mercado de chips de IA.

Samsung amplía la capacidad de memoria

Según medios surcoreanos, Samsung está considerando ampliar su capacidad de producción de obleas de 4 nanómetros para respaldar la producción de la base die HBM4. La base die es la capa lógica situada debajo del apilamiento DRAM y conecta la memoria con el acelerador de IA.

A diferencia de SK Hynix, que utiliza los 12 nanómetros de TSMC para fabricar la base die HBM4, Samsung está produciendo este componente internamente con su propio proceso de 4 nanómetros.

Samsung ya ha asignado más de la mitad de su capacidad actual de 4 nanómetros a la producción de la base die HBM4. La demanda también proviene de otros clientes, incluido el Groq 3 LPU de Nvidia, lo que ha llevado a Samsung a aumentar los precios de los nuevos pedidos de 4 nanómetros.

La competencia en la carrera HBM se intensifica

La expansión coincide con la aceleración de Samsung en la producción de HBM4. La compañía espera que los ingresos de HBM4 crezcan más de tres veces en el tercer trimestre respecto al anterior, y que HBM4 represente más del 60% de los ingresos totales de HBM en la segunda mitad del año.

El crecimiento de Samsung ya está remodelando el panorama competitivo. Según datos de Counterpoint, la cuota de ingresos de Samsung en HBM ha pasado del 21% en el primer trimestre al 33% en el segundo, mientras que SK Hynix mantiene el 50% y Micron el 18%.

La compañía también está considerando construir una nueva línea de producción de 2 nanómetros para HBM5, ya que se espera que la base die de HBM5 utilice el proceso de 2 nanómetros. Esto podría reforzar aún más el enfoque de integración vertical de Samsung, unificando memoria, fabricación lógica y empaquetado avanzado.

SK Hynix y Micron bajo presión

Para SK Hynix y Micron, el aumento acelerado de la producción de HBM4 por parte de Samsung supone un nuevo desafío competitivo precisamente cuando la inversión en infraestructuras para IA eleva la demanda de memoria de alto ancho de banda a niveles sin precedentes.

En junio de este año, Samsung fue el primer proveedor en completar la validación de HBM4 y comenzar los envíos, mientras que SK Hynix afronta retrasos en la certificación y Micron sigue centrada en HBM3E.

Citi prevé que la demanda mundial de bits HBM crecerá un 62% el próximo año, lo que podría situar al sector en una situación de escasez. Esto significa que la expansión de capacidad de Samsung podría permitirle aumentar su cuota en un mercado de rápido crecimiento.