Korea-Japan NAND-Konkurrenz verschärft sich: Samsung und Kioxia produzieren gleichzeitig neueste spezifizierte KI-Speicherchips in Serie

Die globale NAND-Marktlandschaft erlebt derzeit eine neue Runde technologischer Wettläufe. Kioxia aus Japan treibt in diesem Jahr intensiv die Massenproduktion von PCIe 6.0 Enterprise-SSDs und UFS 5.0 Mobilen Speicherlösungen voran und stellt damit eine direkte Herausforderung für die Führungsrolle von Samsung Electronics im Bereich AI-Speicher dar. Das Wettstreit um die neuen Generationen zwischen den Storage-Giganten aus Korea und Japan heizt sich deutlich auf.

Nach Berichten von der koreanischen Tech-Medienplattform ZDNet hat Kioxia Anfang Juli in der Kitakami-Fabrik in der Präfektur Iwate die Massenproduktion der zehnten Generation (BiCS 10) von 3D NAND gestartet und daraufhin die kommerzielle Implementierung der PCIe 6.0 Enterprise-SSD CM10 umgesetzt. Samsung Electronics gab im selben Zeitraum ebenfalls den Produktionsstart des PCIe 6.0 eSSD Produkts PM1763 bekannt und berichtete, dass die zehnte Generation V-NAND (V10) noch diesen Monat in die Massenproduktion geht – damit kommt es an entscheidenden Punkten zum direkten Wettkampf mit Kioxia. Der gleichzeitige Vorstoß beider Unternehmen mit neuesten Spezifikationen beschleunigt die Leistungserweiterung von AI-Datacentern und Endpoint-AI-Märkten erheblich und hat tiefgreifende Auswirkungen auf die bestehende Angebotsstruktur.

Bezüglich der Marktanteile zeigte die Marktanalyse von TrendForce, dass Samsung Electronics im ersten Quartal 2026 mit 31,6% den globalen NAND-Markt anführt, gefolgt von SK Hynix mit 17,6% und Kioxia mit 13,9% auf Platz drei. Obwohl Kioxia im Vergleich zu den koreanischen Unternehmen kleiner ist, gewinnt ihr Tempo im Bereich High-Performance-AI-Speicher stark an Fahrt und stellt einen nicht zu unterschätzenden Wettbewerbsdruck dar.

Kioxia setzt in dieser Technologiewelle auf die zehnte Generation NAND als zentrales Standbein. BiCS 10 verwendet eine Stapeltechnik mit 332 Schichten und wurde Anfang Juli in der Kitakami K2-Fabrik offiziell in die Massenproduktion überführt. Samsung Electronics und SK Hynix haben jeweils die Massenproduktion der neunten Generation abgeschlossen; die Definition der Stapelschichtenzahl unterscheidet sich zwischen den Herstellern – ein direkter Vergleich ist schwierig –, dennoch hat Kioxia mit der Massenproduktion von über 300 Schichten einen bedeutenden technologischen Meilenstein gesetzt.

Darauf aufbauend brachte Kioxia die PCIe 6.0 eSSD CM10 für den Data-Center-Markt heraus. PCIe 6.0 ist die neueste Schnittstellen-Norm, die in diesem Jahr erstmals kommerziell genutzt wird. Laut offiziellen Angaben von Kioxia steigert die CM10 gegenüber dem Vorgängermodell die sequenzielle Lesegeschwindigkeit maximal um 92% und die zufällige Lesegeschwindigkeit um etwa 85%.

Im Bereich Endpoint-AI plant Kioxia, die Massenproduktion der UFS 5.0 Speicherlösung bis Ende dieses Jahres zu starten. UFS 5.0 ist die jüngste integrierte Speicher-Spezifikation, die dieses Jahr in die kommerzielle Nutzung ging und hauptsächlich für mobile NAND-Anwendungen verwendet wird. Die Datenverarbeitungsrate liegt etwa doppelt so hoch wie bei der vorherigen UFS 4.1 Generation. Kioxias UFS 5.0 Lösung enthält einen selbst entwickelten Controller und NAND der achten Generation.

Samsung Electronics agiert dieses Jahr ebenfalls intensiv im NAND-Sektor. PM1763 ging Anfang Juli in die Massenproduktion und ist mit der neunten Generation V-NAND sowie einem neuen 4nm-Controller ausgestattet – dies ist Samsungs erstes kommerzielles Produkt auf der PCIe 6.0 Plattform.

Im Bereich mobiler Speicher hat Samsung die Entwicklung seiner UFS 5.0 Produkte im Juni abgeschlossen und plant, mit der Massenproduktion im vierten Quartal dieses Jahres zu beginnen. Das Produkt basiert auf NAND der neunten Generation und erreicht eine Datenübertragungsbandbreite von 10,8 GB/s, Samsung bezeichnet dies als den höchsten Branchenstandard und betont gleichzeitig die Effizienz im Energieverbrauch.

Noch mehr Aufmerksamkeit zieht der Produktionsstart des V10 NAND von Samsung auf sich. Die V10 verfügt Schätzungen zufolge über mehr als 430 gestapelte Schichten und setzt erstmals Hybrid Bonding-Technologie sowie eine 3-Stack-Architektur ein – dies markiert einen neuen Schritt in der NAND-Verfahrenstechnik bei Samsung. Brancheninsider berichten, dass Samsung kürzlich die interne Produktionsfreigabe (PRA) für V10 abgeschlossen und die Pläne zur Massenproduktion offiziell bekannt gegeben hat. Allerdings sei die Investition in groß angelegte Produktionsanlagen noch nicht vollständig angelaufen, weshalb die anfänglichen Ausstoßmengen vorerst niedrig bleiben dürften.

Der Fokus im Wettbewerb zwischen den koreanischen und japanischen Unternehmen liegt klar auf AI-Anwendungsszenarien. PCIe 6.0 bedient den hohen Durchsatzbedarf von AI-Datacentern, während UFS 5.0 auf die schnelle Verbesserung der lokalen Speicherleistung von Endpoint-AI-Geräten abzielt – beide Produktlinien passen optimal zu den aktuellen Expansionstrends der AI-Branche.

Kioxias rasche Nachfolge bei neuen Technologien zeigt, dass sich die Innovationszyklen im globalen NAND-Markt verkürzen und die Zeitfenster für die Kommerzialisierung von Spitzenprodukten bei den Marktführern erheblich zusammenschrumpfen. Für Investoren in AI-Infrastruktur dürften die Speicherleistungsengpässe zwischen diesem und dem kommenden Jahr mit der breiten Massenproduktion der genannten neuen Spezifikationen substantiell entschärft werden.