رد إيجابي على اختراق 4F2 من ChangXin، CTO لشركة Micron: 3D DRAM "أكثر قابلية للتوسع وكفاءة من حيث التكلفة على المدى الطويل"
شهد سوق شرائح التخزين العالمي مؤخراً تقلباً في التقييمات، مع تصاعد النقاشات حول المسارات التقنية. صرح رئيس Micron، Scott DeBoer، أنه رغم التقييم الداخلي الطويل لبنية 4F²، ستظل الشركة ملتزمة بمسار 6F² وستتجه مباشرةً نحو 3D DRAM، معتبراً أن الترانزستور العمودي للبنية 4F² يفتقر لمسار توسع مستدام. بالمقابل، أعلنت CXMT سابقاً عن خطط لإطلاق منتجات DDR5 بهيكلية 4F² بحلول نهاية العام، كما تدرس Samsung إدخال هذا الهيكل عام 2028.
في الآونة الأخيرة، شهد سوق شرائح التخزين العالمي جولة جديدة من تقلبات التقييم ونقاشات حادة حول المسارات التقنية. ففي الأسواق المالية، سجل مؤشر فيلادلفيا لأشباه الموصلات وقطاع التخزين تراجعات كبيرة؛ في حين أثار تقدم Changxin Memory Storage الاختراقي في بنية DRAM من نوع 4F² نقاشاً واسعاً في القطاع.
في 21 أكتوبر، أدار رئيس شركة Micron ومديرها التقني ومسؤول المنتجات Scott DeBoer ندوة عبر الإنترنت حول التكنولوجيا والمنتجات، حيث كان من بين المواضيع الأساسية الرد على المخاوف التي أثارها المستثمرون بعد إعلان Changxin مؤخراً عن خطتها لاعتماد بنية 4F².
قال Scott DeBoer بوضوح أنه رغم قيام الشركة داخلياً بتقييم بنية 4F² والتحقق من نماذجها الأولية لمدة طويلة، إلا أن Micron ستواصل الالتزام بمسار 6F² الحالي وفي النهاية ستنتقل مباشرة نحو 3D DRAM. وتعتقد Micron أن 3D DRAM، من منظور التطور طويل الأمد، تمثل خياراً أكثر تأكيداً من حيث "القابلية للتوسع وكفاءة التكلفة".
وأوضح بشكل إضافي أن العامل الحاسم في تحديد كثافة وحدات DRAM وإمكانية خفض التكاليف هو المسافة بين المكثفات.لا تقدم ترانزستورات القنوات الرأسية (VCAT) في بنية 4F² مسار توسع عملي باستثناء زيادة الضغط على تقليص المسافات.
وبحسب Trading Desk للأخبار السريعة، أشار تقرير لفريق المحلل Timothy Arcuri من UBS إلى أنه إذا كان تقدير Micron صحيحاً، وانحاز القطاع في النهاية إلى 3D DRAM، فمن المتوقع أن يستفيد مورّدو معدات الترسيب والحفر.
ذكرت "رؤية وول ستريت" سابقاً أن رئيس Changxin Memory Storage، Cao Kanyu، كشف في 10 أكتوبر أن الشركة تخطط لإطلاق جيل جديد من DDR5 RDIMM بنية 4F² بحلول نهاية العام، حيث يمكن تقليل مساحة الرقاقة بحوالي 30% مقارنةً ببنية 6F² السائدة، ما يسمح بتقطيع المزيد من الرقائق من الرقاقة المفردة.
الحجة الأساسية لـ Micron: 4F² ليست طريق المستقبل
أثارت تقنية Changxin 4F² اهتماماً كبيراً في الصناعة لأنها تلامس جوهر المشكلة التجارية الأساسية في شرائح DRAM ـــ كثافة البت لكل رقاقة واحدة وتكلفتها.
في التصميم التقليدي للـ DRAM، تعتمد الصناعة عادة بنية 6F². وإذا أمكن الانتقال بنجاح إلى 4F²، فمن الناحية النظرية يمكن تقليل مساحة الخلية بأكثر من 30% عند نفس نقطة العملية، ما يزيد بشكل ملحوظ عدد قطع الرقائق المنتجة من الرقاقة الواحدة.
وأشارت UBS بعد متابعة التواصل التقني مع Micron إلى أن الشركة نقلت للسوق حكمها على عوائق إنتاج 4F² على نطاق واسع:
أولاً،العائق في المكثفات وليس في الترانزستورات. تعتقد Micron أن العائق النهائي لتقليص DRAM هو المسافة بين المكثفات وليس مجرد هيكل الترانزستور نفسه. إذا لم يكن بالإمكان تقليص مسافة المكثفات بالتوازي، فإن التغيير لبنية 4F² وحده لا يمكن ترجمته مباشرة إلى ميزة مستدامة في التكلفة.
ثانياً، سقف توسع VCAT. عادةً ما تتطلب بنية 4F² إدخال ترانزستورات قنوات رأسية (VCAT). وتوضح Micron أن VCAT، باستثناء الاستمرار في تقليص المسافة، تفتقر إلى مسار تطور مستدام، كما تفرض متطلبات شديدة التعقيد في عمليات ALD (ترسيب الطبقات الذرية) والنمو الانتقائي بالترسيب، ما قد يجعل تكلفة الإنتاج الكبيرة تلتهم فوائد تقليص المساحة.
وفقاً لما لخصته محللة Deutsche Bank ميليسا ويذرز في تقريرها بعد الندوة، لم توضح Micron فقط أنها لا تعتزم الانتقال إلى بنية 4F²، بل شددت أيضاً على أن الشركة قامت لعقود عديدة بتقييم داخلي وتطوير نماذج أولية لخطة 4F²، لكن الاستنتاج النهائي كان: قبل انتقال الصناعة إلى 3D DRAM، سيظل 6F² المسار الأكثر جاذبية.
اعتبارات تقنية متباينة بين الشركات الكبرى
توضح UBS أن تعليقات Micron هنا تعكس واقع دفع شركتها بمسارين تقنيين كما فعلت في نقطة 1-beta فيما يتعلق باستخدام EUV أو عدمه. وتعتقد الشركة أن 3D DRAM ستلتقي في نهاية المطاف بمسارها، وتعتبره "خياراً أكثر قابلية للتوسع وأكثر كفاءة من حيث التكلفة" على المدى الطويل.
لكن منطق Micron لا يعكس إجماع القطاع بأسره.
وتشير أبحاث UBS للفترة نفسها إلى أنه إلى جانب الدفع الشديد من جانب Changxin في هذا الاتجاه، يُشاع أن Samsung الرائدة في القطاع تدرس أيضاً إدخال بنية 4F² في الجيل القادم عند عقدة 0a نانومتر مستقبلاً لتخفيف الضغط على عمليات معالجة المكثفات ذات النسبة العالية للطول إلى العرض.
وتخطط Samsung، بعد إتمام إنتاج 6F² عند عقدة 1d نانومتر في 2027، لدفع إدخال بنية 4F² عند عقدة 0a نانومتر بحلول نهاية 2028.
خطاب Micron التقني
علاوة على الرد مباشرة على الشكوك حول 4F²، ركزت ندوة Micron هذه أيضاً على إبراز انتشارها التقني الشامل.
امتداد خارطة الذاكرة في مجال الذكاء الصناعي: شددت Micron على أن احتياجات الذكاء الصناعي للذاكرة لا تتوقف فقط عند تدريب HBM، بل تشمل أيضاً LPDDR6 وDDR6 وSOCAMM وRDIMM بسعة 1 تيرابايت المطلوبة للتعلم الآلي في الحوسبة الطرفية والسيارات ذاتية القيادة.
التعبئة المتقدمة وتكامل المنطق: تعتبر Micron أن الربط الهجين (Hybrid Bonding) هو خندقها الأساسي لأجيال HBM ذات 16 طبقة وأكثر، كما تدفع بنشاط شراكات مع مصانع تصنيع الرقائق لتطوير vHBM (ذاكرة مكدسة رأسياً فوق نواة الحوسبة). وتحاول Micron إثبات أن المنافسة في التخزين بعصر الذكاء الصناعي قد انتقلت من "التحكم في تكلفة البت المفرد" إلى "التآزر النظامي بين الذاكرة والتغليف وبنية المنطق".
إعادة تشكيل قيمة NAND: في الوقت نفسه، عرضت Micron خارطة طريق Gen11 NAND بأكثر من 400 طبقة، مشدّدة على أن الطلب في عصر الذكاء الصناعي على التخزين عالي الأداء ذا الـ IOPS العالي وعرض الحزمة المتفوق، وتسعى لبناء حاجز تكاملي بين DRAM وNAND.
التأثير الحقيقي لـ Changxin 4F²: هل كانت ردة فعل السوق مبالغاً فيها؟
بالنسبة للمخاوف التي سببتها إعلانات Changxin حول 4F²، سبق للعديد من المؤسسات أن قامت بتقييمات أكثر تحفظاً.
ترى Nomura Securities أن كلاً من 4F² و 3D DRAM لن يكون لهما تأثير جوهري خلال فترة التوقعات حتى عام 2028، ومن المتوقع أن يتحقق إنتاج Changxin الواسع لـ 4F² بين 2027 و2028. كما أشارت سيتيك سيكيوريتيز إلى أن 4F² لا تزال في مرحلة التحقق المبكر، بينما تبقى معدلات العائد والإنتاج ومصادقة العملاء بحاجة لرصد، ما يجعل تأثيرها على هيكل صناعة التخزين على المدى المتوسط محدوداً.
أما بالنسبة لموقع Changxin ذاته في الصناعة، فإن أعمالها في مجال HBM لا تزال في بدايتها، وبالتالي يصعب عليها في المدى القصير اقتناص هامش الربح العالي المتوقع لهذا القطاع الفرعي نتيجة دفع إمكانيات الذكاء الصناعي. وفي ظل تباطؤ ارتفاع أسعار DRAM التقليدية، يجعل هذا العامل البنيوي الشركة تفتقر لهامش الحماية.
تُظهر بيانات المتابعة من TrendForce أن الزيادة الفصلية في أسعار العقود الخاصة بـ DRAM التقليدية تقلصت من 93% - 98% في الربع الأول من 2026 إلى 13% - 18% في الربع الثالث، ومن المتوقع أن تنخفض أكثر إلى 10% - 15% في الربع الرابع.
إخلاء المسؤولية: يعكس محتوى هذه المقالة رأي المؤلف فقط ولا يمثل المنصة بأي صفة. لا يُقصد من هذه المقالة أن تكون بمثابة مرجع لاتخاذ قرارات الاستثمار.
You may also like
تحذير من نومورا: مخاطر الائتمان المتعلقة بالذكاء الاصطناعي حالياً تشبه بشكل مذهل فقاعة الإنترنت وأزمة ليمان، وكل شيء يعتمد على أسعار النفط
قامت نومورا ببناء إطار عمل "دورة الائتمان العشرية"، معتبرة أن التكنولوجيا الحالية للذكاء الاصطناعي واضطرابات الائتمان السيادي الفرنسي تشكل "الموجة الثانية من الصدمات"— وبحسب التاريخ، بعد نهاية هذه المرحلة بنحو 1-2 سنة، من المتوقع حدوث "الموجة الثالثة من الصدمات" التي تؤدي إلى الركود. المتغير الأساسي هو سعر النفط: إذا كان ارتفاع الأسعار ناجماً عن فرط الطلب، فإن الاحتياطي الفيدرالي الأمريكي سيقع في مأزق الركود التضخمي ولن يتمكن من خفض الفائدة، مما يصعب تجنب تفاقم الأزمة؛ أما إذا كان السبب الرئيسي جيوسياسي، فلا يزال هناك مجال مرن للسياسات.
خسارة 80.7 مليار دولار في نصف عام، وما يقرب من 750 مليار دولار تم الرهان بها على قوة الحوسبة، لماذا تم تحديد احتمال إفلاس Anthropic بنسبة 17% فقط؟
تشمل الحجج التي تدعم انخفاض احتمالية الإفلاس: نمو الإيرادات لا يزال مرتفعاً؛ لدى المستثمرين الاستراتيجيين مثل Google وAmazon دوافع قوية للحفاظ على تشغيل الشركة؛ سيوفر الاكتتاب العام مصدرًا جديدًا لتزويد رأس المال؛ بالإضافة إلى أن الجزء الأكبر من صافي الخسائر البالغ 80.7 مليار دولار عبارة عن بنود غير نقدية ولا تشكل ضغطًا نقديًا فوريًا.
VIPاستراتيجية أسبوعية Tesla
أسعار العملات المشفرة
المزيد
