美銀：存儲週期告別「J型」增長但基本面上行空間仍巨大 晶片短缺或延續至2027年

據智通財經APP獲悉，美銀近日發佈的研報指出，隨著2026年第四季度的到來，儲存週期將逐步走出此前J型增長階段，進入新的發展階段。這與Micron(MU.US)近期公佈的業績及最新指引一致：2026財年第四財季銷售額環比增長31%，低於第三財季的74%；該公司預計2027財年第一財季銷售額環比僅增長13.5%。

這一趨勢可能被用來構建看空儲存行業的論點，但美銀認為，基本面上行空間依然很大，主要有三大原因：1)高毛利率——儘管銷售額環比增速大幅下降、員工激勵成本上升，Micron仍預計2027財年第一財季毛利率將達到86%；2)較低的本益比(P/E)倍數——即使按照2028年預期每股收益計算，大多數儲存股票的本益比也僅為5-7倍；3)創紀錄的股票回購或現金股利。

與亞洲儲存晶片廠商一樣，Micron似乎也認為，儘管亞洲和美國將有更多晶圓廠投產，但相對於新增晶片需求而言，儲存晶片短缺可能持續加劇至2027年。

美銀表示，整體而言，只要銷售額/營業利潤能夠維持在2018年和2021年兩輪上行週期高點的10倍水準，那麼增長放緩就不應成為令人擔憂的問題，Micron的業績和指引已經為此提供了佐證。

相似點與差異：Micron vs Samsung/SK hynix

美銀還瞭解到，Micron的六項戰略總體上與Samsung電子和SK hynix的戰略保持一致，包括：1)積極回饋股東；2)增加長期供貨協議(LTA)，同時進一步實現客戶基礎多元化，包括大型科技公司和原始設備製造商(OEM)；3)建設新的晶圓廠，但由於製造週期拉長，晶圓產能擴張受到限制；4)晶片供應相對於長期需求而言仍然不足；5)平均售價(ASP)保持穩定，營收增長更多由銷量推動，而不是依靠激進調高DRAM/NAND價格；6)高度重視高頻寬記憶體(HBM)，相較傳統DRAM進行大規模產能擴張，同時2027年年度合約的ASP漲幅也更加明顯。

不過，各公司的獲利表現和業績展望仍存在差異——第三季度DRAM ASP環比：Samsung/SK hynix預計上漲23%-25%，Micron預計上漲高十幾個百分點；第三季度NAND ASP環比：Samsung/SK hynix預計上漲15%-18%，Micron預計上漲約30%。

在配息率方面，Samsung目前為自由現金流(FCF)的50%；SK hynix超過50%；Micron則將在達到特定目標現金持有量後實現100%的配息率，該目標預計於2026年11月季度實現，而2026年8月季度的現金持有量為750億美元；

截至2030年的長期銷售中LTA佔比：Samsung為60%-70%；SK hynix超過50%；Micron超過35%。此外，在1c(Gamma)製程節點遷移方面，Samsung目前尚未用於DDR5，仍以HBM4為核心；SK hynix已經將其用於高端DDR5的主流生產；Micron則明確表示，1c是其最大的生產製程節點。

HBM、DDR5及搶購訂單推動韓國9月半導體出口強勁增長

韓國9月半導體出口大幅增長，環比增長29%，同比增長263%。美銀認為主要有三大驅動力：1)HBM4成功加速量產，目前佔HBM總銷售額的50%以上；2)儘管長期供貨協議不斷增加，DDR5價格仍較上一季度上漲20%-30%以上；3)季度末搶購訂單增加，其中包括企業級固態硬碟(eSSD)/NAND訂單。

將7月、8月和9月出口數據合併來看，同樣顯示第三季度增長強勁，環比增長30%，整體上與美銀對SK hynix和Samsung第三季度儲存晶片營收的預測基本一致——該行預計SK hynix儲存晶片營收增長32%，Samsung則增長27%。

Samsung第三季度初步營業利潤將於10月8日公佈——美銀預計為10.7兆韓元，在HBM4、DDR5甚至NAND強勁銷售和ASP上漲的支持下，這一數字很可能輕鬆達到華爾街約11兆韓元的樂觀共識預期。