美股異動：納微半導體9月29日大漲，10kV項目及SiC晶片

納微半導體 9月29日 大漲解讀

關鍵詞：10kV項目、SiC芯片

1、9月28日，公司宣布獲授ALATTIS項目，研發下一代10kV碳化矽功率半導體技術，並通過設計、製造和測試開發及驗證超高壓SiC器件製造工藝。

2、9月28日，公司披露其主營下一代GaNFast氮化鎵和GeneSiC碳化矽功率半導體，項目評選認可了公司在超高壓SiC技術及製造供應鏈方面的能力。

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