三星與ASML合作開發高NA EUV光刻技術

據《首爾經濟日報》報導，Samsung Electronics 將與全球最大光刻設備製造商 ASML 共同開發高數值孔徑（High-NA）極紫外（EUV）光刻技術。Samsung 正參與一項旨在推動行業標準轉變的計劃，即將自20世紀80年代以來一直使用的6英吋光掩模版轉向12英吋版本，並力爭率先基於高NA EUV設備建立DRAM量產體系。Samsung 計劃自2028年起將高NA EUV設備應用於DRAM生產，隨後進一步將此技術擴展至1.4奈米先進邏輯製程，以推動其晶圓代工業務發展。擴大掩模版尺寸旨在補足EUV技術的限制。高NA EUV的數值孔徑比傳統EUV高66%，能夠形成更精細的電路圖案。將目前使用的6英吋掩模版替換為12英吋掩模版，可以提升晶圓廠生產效率並降低晶片製造成本。