韓國券商：三星、SK海力士記憶體晶片庫存不足10天，明年或現史上最嚴重短缺

AI基礎設施投資浪潮正將全球儲存晶片市場推向前所未有的供應危機邊緣。

韓國KB證券9月7日發布研報稱，三星電子與SK海力士當前儲存晶片庫存已降至不足10天，明年DRAM與NAND的比特需求將超出供應10個百分點以上，屆時可供實際銷售的儲存晶片物量存在耗盡的可能性。KB證券研究本部長Kim Dong-won將上述局面定性為「歷史性短缺」。

該機構同時指出，三星電子與SK海力士股價近三個月較高點下跌38%，明年業績對應本益比僅約3倍，處於「極度低估」狀態，並將兩家公司列為半導體板塊首選標的，預計強力重估行情即將啟動。

AI投資激增，儲存晶片需求急劇擴張

KB證券指出，超大規模雲服務商明年AI基礎設施投資規模正被大幅上調，較今年成長約60%，預計達1.3萬億美元。

Kim Dong-won表示，這一趨勢的根本驅動力在於AI已開始作為雲端AI服務、Token計費、Agentic AI及模型託管等直接新增收入來源加速落地，AI盈利模式正進入具體化階段。

在AI基礎設施投資中，儲存晶片所占比重正快速攀升。

KB證券預計，該比重將從2024年的14%升至2025年的40%，並進一步躍升至2026年的57%，兩年間擴大約4倍。

全球半導體研究機構集邦科技（TrendForce）的預測更為激進，預計2026年這一比重將達68%，兩年內成長近5倍。Kim Dong-won將這一趨勢歸因於HBM4記憶體容量提升、CPU伺服器DRAM需求成長以及推理用企業級SSD需求同步擴張三重因素疊加。

HBM4產能擴張蠶食通用DRAM供給

KB證券特別強調，第六代高頻寬記憶體HBM4的產能擴張將對通用DRAM供應形成結構性擠壓。

據該機構測算，生產一片HBM4晶圓所消耗的產能相當於三片通用DRAM晶圓，這意味著HBM4產量每提升一步，均以三倍比例壓縮通用DRAM的可用晶圓投入量。

在晶圓總投入受限的前提下，這一結構性矛盾將直接制約可供市場銷售的比特增量，成為明年供應短缺的核心成因之一。Kim Dong-won預計，明年DRAM與NAND的比特需求將雙雙超出供應10個百分點以上，形成「史上最嚴峻的供應緊張局面」。

庫存告急，三星與SK海力士面臨物量耗盡風險

KB證券披露，截至今年第三季，三星電子與SK海力士的儲存晶片庫存已降至不足10天，當前局面已超越單純的需求復甦範疇，可供銷售的實物庫存本身正面臨絕對性短缺。

Kim Dong-won表示，明年實際可銷售儲存物量耗盡的可能性正在成為現實。

明年AI伺服器將同步吸收HBM、伺服器DDR5及企業級eSSD需求，多品類需求共振進一步加劇供應壓力。KB證券認為，在上述背景下，儲存晶片價格存在顯著上行空間。

股價深度回調，KB證券看好重估行情

儘管基本面前景趨於樂觀，三星電子與SK海力士股價近三個月已較高點下跌38%，明年業績對應本益比約為3倍。

KB證券認為，這一估值水平與兩家公司未來三年有望持續刷新歷史最高業績、並維持大規模股東回饋政策的預期嚴重背離，構成「極度低估」。

該機構將三星電子與SK海力士列為半導體板塊首選標的，並預計兩家公司將從當前極度低估狀態啟動強力重估行情。