SK海力士(SKHY.US)美國首座HBM先進封裝基地正式動工 投資逾40億美元 2029年啟動量產

智通財經APP獲悉，南韓儲存晶片巨頭SK海力士（SKHY.US）週四在美國印第安納州為其先進儲存晶片封裝工廠舉行奠基儀式。這座投資超過40億美元的工廠將成為SK海力士在美國首個高頻寬記憶體（HBM）先進封裝基地，也是美國推動關鍵半導體供應鏈本土化的重要專案之一。

隨著人工智慧基礎設施投資持續增長，HBM已成為Nvidia（NVDA.US）等公司最先進AI加速系統不可或缺的核心元件。SK海力士計劃透過印第安納專案進一步擴大HBM產能，並強化其在美國AI晶片供應鏈中的佈局。

SK海力士首席執行長Kwak Noh-Jung在奠基儀式上表示，工廠無塵室預計將在2028年10月前投入使用，下一代HBM產品計劃於2029年下半年開始大規模量產。全面投產後，該專案將成為SK海力士在美國的重要HBM生產樞紐，預計直接僱用約1000名員工。

該公司表示，其在南韓生產的晶圓未來將運往印第安納州，在當地完成先進封裝與測試後，再供應給美國客戶。這意味著該工廠並不直接負責前端晶圓製造，而是承擔HBM生產過程中越來越關鍵的後端先進封裝與測試環節。

高頻寬記憶體已經成為當前全球AI硬體投資熱潮中最關鍵的半導體產品之一。

隨著AI模型規模不斷擴大，GPU和AI加速器需要處理越來越龐大的資料量，傳統記憶體難以滿足資料傳輸速度和頻寬需求。HBM透過堆疊多層DRAM晶片，可以顯著提升資料傳輸頻寬，因此成為Nvidia最先進AI加速系統的重要組成部分。

AI伺服器需求激增也推動SK海力士快速成長，目前該公司已成為南韓市值第二大的企業，僅次於三星電子。三星同樣受惠於HBM及其他儲存晶片需求快速增長。

SK海力士印第安納專案獲得美國《芯片與科學法案》支持。根據相關計畫，公司最高可以獲得4.58億美元直接補貼以及最高5億美元貸款，潛在政府資金支持規模合計達到9.58億美元。

《芯片與科學法案》於2022年簽署成為法律，主要目標之一是降低美國對海外半導體生產的依賴，並推動晶片製造、先進封裝和研發能力回流美國。

Kwak表示，這座工廠將幫助強化美國本土AI晶片供應鏈。SK海力士未來還將繼續擴大在美國的投資與合作，希望成為美國發展AI產業的重要合作夥伴。

相比單純增加晶片製造能力，SK海力士此次投資的另一重要意義在於先進封裝。

隨著傳統製程微縮難度越來越高，透過先進封裝將多顆不同晶片整合在一個封裝內，甚至進行垂直堆疊，已經成為提升AI晶片效能的重要技術路徑。

而先進封裝長期以來正是美國半導體供應鏈相對薄弱的環節之一。

SK海力士選擇在美國建設HBM封裝基地，意味著從南韓生產晶圓、再運往美國完成封裝和測試，將使部分關鍵AI晶片供應鏈進一步向美國本土轉移。該公司預計，該專案透過建設、營運以及相關上下游產業最終有望創造約7000個直接和間接就業崗位。

公司目前正在評估超過100家潛在的材料、零件及半導體設備供應商。如果其中部分企業圍繞新工廠在當地投資，有望進一步形成更完整的半導體產業聚落。

SK海力士還與附近的普渡大學簽署合作協議，雙方將在HBM、系統整合和先進封裝技術等領域展開研發合作。

公司還計劃在生產線附近興建一座先進封裝研發測試平台，將大規模生產與下一代半導體技術研發結合起來。此外，SK海力士母公司SK集團表示，將為曾在駐韓美軍服役的美國退伍軍人提供新的就業及職業發展機會。