Samsung sẽ sử dụng quy trình 3nm của TSMC để sản xuất đế chip HBM tùy chỉnh cho Nvidia

Theo báo cáo của Seoul Economic Daily vào Chủ nhật, Samsung Electronics sẽ sử dụng quy trình 3nm của TSMC để sản xuất tấm wafer nền cho chip HBM tùy chỉnh thế hệ tiếp theo của Nvidia. Động thái này sẽ đánh dấu lần đầu tiên Samsung hợp tác với TSMC trong giai đoạn sản xuất HBM. Nhật báo này dẫn lời các nguồn tin trong ngành cho biết Nvidia đã yêu cầu Samsung, SK Hynix và Micron Technology sử dụng quy trình của TSMC để sản xuất tấm wafer nền cho NVHBM và áp dụng công nghệ DRAM thế hệ thứ sáu để sản xuất chip cốt lõi của họ. Theo công ty, NVHBM sẽ được ra mắt vào tháng 8 năm nay, tích hợp bộ điều khiển bộ nhớ tùy chỉnh của Nvidia vào bên trong tấm nền, nhằm mục đích chuẩn hóa việc triển khai trên nhiều nhà cung cấp bộ nhớ khác nhau. Theo Seoul Economic Daily, sau khi đánh giá nội bộ, Samsung đã chấp nhận yêu cầu của Nvidia nhưng dự định sẽ tiếp tục duy trì mô hình sản xuất riêng để sản xuất HBM tiêu chuẩn cũng như các sản phẩm tùy chỉnh cho các khách hàng khác. Nhật báo này dẫn lời một nguồn tin cho biết Samsung cũng đang đánh giá khả năng nếu nhu cầu vượt sản lượng của TSMC, nhà máy bán dẫn riêng của họ có thể đảm nhận sản xuất tấm wafer nền cho NVHBM hay không.