SK Hynix bắt đầu cung cấp mẫu bộ nhớ "HBM4E" thế hệ mới tập trung vào AI với cấu trúc xếp chồng 12 lớp
Theo tin tức từ BlockBeats, ngày 18 tháng 6, theo Securities Times, SK Hynix đã công bố vào ngày 18 rằng công ty đã cung cấp mẫu HBM4E 12 tầng cho các khách hàng chủ chốt. Sản phẩm này là DRAM thế hệ tiếp theo với hiệu suất siêu cao dành cho Trí tuệ Nhân tạo (AI). Nó có tốc độ chân lên tới 16Gbps, cải thiện hiệu suất năng lượng trên 20% và tăng cường khả năng xử lý dữ liệu cần thiết cho việc huấn luyện và suy luận AI.
Tuyên bố miễn trừ trách nhiệm: Mọi thông tin trong bài viết đều thể hiện quan điểm của tác giả và không liên quan đến nền tảng. Bài viết này không nhằm mục đích tham khảo để đưa ra quyết định đầu tư.
Bạn cũng có thể thích
Cạnh tranh HBM gia tăng! Samsung dự kiến mở rộng sản xuất công nghệ 4nm, áp lực cạnh tranh đối với SK Hynix và Micron tăng mạnh
Samsung dự kiến mở rộng năng lực sản xuất 4nm để hỗ trợ sản xuất lõi HBM4 cơ bản, thị phần HBM của hãng tăng từ 21% lên 33%, áp lực cạnh tranh đối với SK Hynix và Micron ngày càng gia tăng.
MoffettNathanson hạ mục tiêu giá cổ phiếu AT&T xuống 23 đô la Mỹ
Giá tiền điện tử
Thêm
