Відмова від 4F², масове виробництво HBM4, прискорення G11 NAND... На технічному семінарі Micron (MU.US) було представлено дорожню карту, JP Morgan підтримує рейтинг "збільшити долю".

За повідомленням додатку Zhihui Finance, у своєму останньому звіті Morgan Stanley відзначає, що Micron Technology (MU.US) на Інвесторському технічному вебінарі 21 жовтня детально представила свої новітні технологічні новації та довгострокові плани по трьох ключових продуктових напрямках—DRAM, HBM та NAND. Аналітична команда під керівництвом Harlan Sur вважає, що технологічна дорожня карта Micron є чіткою та далекоглядною, і компанія має всі шанси й надалі вигравати на фоні вибухового зростання попиту на сховище, зумовленого AI, тож зберігає рейтинг «Підвищити».

Наполегливість щодо архітектури 6F² DRAM, паралельний розвиток 3D DRAM

У звіті Morgan Stanley зазначає, що щодо еволюції архітектури DRAM Micron надала чітку відповідь на галузеву дискусію між технологіями 6F² і 4F². Компанія оголосила, що наступне покоління вузлів DRAM залишатиметься на архітектурі 6F², а не 4F². Micron упевнена, що завдяки строгому зменшенню вузлів, процесним інноваціям і оптимізації на рівні продукту вона зможе підтримувати провідні позиції щодо енергоспоживання і продуктивності.

Micron розкрила, що дослідження DRAM на базі 4F² тривають вже близько 20 років, однак компанія вирішила не впроваджувати цю технологію, оскільки вона ускладнює виробничі процеси, підвищує собівартість, а вигоди від зменшення вузлів виявляються обмеженими.

Morgan Stanley детально виділила три основні виробничі виклики для архітектури 4F²: по-перше, вона вимагає більш інтенсивних процесів депонування та протравлення, що підвищує ризики браку; по-друге, 4F² висуває жорсткіші вимоги до техпроцесу (зокрема вирівнювання, наводка), що тисне на виробничу здатність і якість; по-третє, сама архітектура схильна до «ефекту плаваючого тіла» (Floating Body Effect), через що заряд накопичується в каналі транзистора, знижуючи продуктивність і спричиняючи витік струму.

Крім того, Micron спростувала тезу про перевагу 4F² перед 6F² за щільністю, наголосивши, що бітова щільність DRAM визначається кроком конденсатора (Capacitor Pitch), а не кроком міжз'єднання (Interconnect Pitch).

Відповідно до оприлюдненої дорожньої карти, Micron у найближчих поколіннях DRAM продовжить використовувати площинну архітектуру на базі 6F² (очікується до 2030 року), паралельно розвиваючи технологію 3D DRAM.

HBM-дорожня карта суттєво розширюється: акценти на кастомізації і вертикальному стеку

У стратегії HBM Micron повідомила, що HBM4 вже вийшов на стадію масового виробництва і зростає згідно з планом, а наступне покоління HBM4E вже є у дорожній карті, і в цьому році компанія надсилає зразки ключовим клієнтам.

Micron прогнозує довгострокове співіснування стандартних і кастомних HBM. Кастомні HBM дозволяють інтегрувати пам’ять IP і логіку IP у базовій підкладці (Base Die), забезпечуючи тіснішу співпрацю з клієнтами. Команда Micron підкреслила, що у майбутньому і стандартні продукти JEDEC HBM, і кастомні HBM використовуватимуть вузли стороннього виробника, причому HBM4E потребуватиме ще просунутіших CMOS‑технологій через жорсткіші вимоги до швидкості, енергоспоживання і функціоналу.

Окрім стандартних і кастомних HBM, Micron виділила дві ключові довгострокові архітектури пам’яті — вертикальний HBM (Vertical HBM) та вертикальну пам’ять для граничних обчислень (vEIM). Vertical HBM розміщує пам’ять безпосередньо над процесором, скорочуючи відстань між сховищем і обчислювальним блоком, що різко підвищує пропускну здатність; vEIM використовує той же прийом, але оптимізована для енергоефективних кейсів edge‑AI (vertical HBM—для високої пропускної здатності, vEIM—для низького енергоспоживання).

Micron наголошує на дедалі більшій ролі hybrid bonding, вищої кількості шарів, просунутої терморегуляції та спільного дизайну з клієнтами у дорожній карті HBM. Водночас, із розширенням продуктової лінійки HBM/Vertical HBM/vEIM споживання пластин буде зростати порівняно зі стандартним DRAM, а отже, співвідношення виходу бітів на пластину залишатиметься під тиском.

Міжпоколінне оновлення NAND до G11, AI-продукти розширюють ринкові можливості

У сегменті NAND після трьох провідних вузлів від G7 до G9 Micron переходить одразу до G11, оптимізованого для AI-навантажень. Порівняно з G9 G11 націлений на подвоєння бітової щільності, до 1,5× зростання швидкості I/O і зниження енергоспоживання передачі даних на понад 25%, а кількість шарів перевищить 400.

Наміри Micron стосовно G11 також полягають у впровадженні технології wafer-on-wafer в масове виробництво NAND. Компанія прогнозує випуск G11 у другій половині 2027 року та планує оголосити більше деталей наступного року. Крім того, після G11 Micron збирається й далі зберігати мініатюризацію завдяки новим матеріалам і більш щільній архітектурі осередків.

На рівні продуктів Micron розробляє дві AI-NAND новинки: перша—на основі високошвидкісного SLC-дизайну (25 млн—100 млн IOPS), створена для GPU при пошуку векторів та AI-контекстуальних запитах із вибіркою величезних дрібних даних; друга—із використанням TSV для стекування NAND на логічному чипі, що дозволяє максимально близько до прискорювача розміщувати ваги моделі, довгий контекст і кеш KV (причому, не безпосередньо біля GPU, оскільки Micron не бачить у цьому вигоди). З огляду на високу собівартість такого рішення, розробка другої новинки ведеться разом із клієнтами, а частки ринку двох продуктів відрізнятимуться залежно від кінцевої галузі.

У сфері Data Center SSD Micron вже став першим виробником, який масово випускає PCIe Gen6 SSD і диски об'ємом 245 ТБ, причому завдяки новітнім вузлам собівартість знижується, що стимулює зростання високої ємності. Morgan Stanley вважає, що дорожня карта NAND дозволяє Micron повною мірою скористатися AI-зумовленим зростанням попиту та підтримати або збільшити частку у глобальному топ-3 ринку корпоративних eSSD.

Поглиблене співробітництво з клієнтами і довгострокове R&D, AI-інструменти різко підвищують ефективність

Micron детально описала свою нову модель співпраці з клієнтами. Сьогоднішнє партнерство стартує вже на етапі концепції, проходить через спільний дизайн, валідацію і аж до запуску масового виробництва—зокрема через низку кастомних проектів із хмарними провайдерами (CSP). Наприклад, Micron спеціально для Meta (META.US) розробляє LPDDR6 для дата-центрів, а Weka стала комерційним партнером, почавши як портфельна компанія Micron Ventures.

Щодо R&D, Micron здійснює довгострокові інвестиції у три часові горизонти: по-перше, гарантує вкладення у Micron Ventures на $550 млн протягом 3‑10 років; по-друге, поглиблює партнерство з Albany NanoTech/NY CREATES для розробки High-NA EUV і трас фоторезисту для DRAM протягом 5‑10 років; по‑третє, влітку цього року анонсовано створення наукової лабораторії Micron Research Lab з розрахунком на понад 10 років і бюджетом $1 млрд.

Окрім цього, Micron широко впроваджує AI-технології на всіх етапах розвитку продукту — від фундаментальних досліджень до фабричного виробництва. За даними компанії, на новому контролері SSD для дата-центрів час розробки і тестування чипів із застосуванням AI порівняно з попереднім поколінням скоротився вдвічі, а завдяки AI-створенню мікропрограм, автоматичному аналізу першопричин і інтелектуальному тестуванню «час до виходу» клієнтського зразка SSD скоротився ще на 60%.

Micron прагне подвоїти швидкість шляху від інновації до масового виробництва (HVM) і поглиблює партнерство з постачальниками по літографії, пакуванню/гібридному бондингу і тонкоплівковим процесам. Morgan Stanley вважає, що ці зусилля життєво важливі для здатності Micron одночасно просувати більше проектів.