SK Hynix активно просуває 1c DRAM: вихід зріс до 80%, понад половину виробничих потужностей буде переобладнано протягом року

Gelonghui, 9 квітня — За даними dealsite, SK Hynix прискорює підвищення конкурентоспроможності свого DRAM шостого покоління за 10-нм техпроцесом (1c), а інвестиції в обладнання для екстремальної ультрафіолетової (EUV) літографії для цієї технології збільшено приблизно у три рази в порівнянні з початковим планом. За словами учасників ринку, SK Hynix зосереджує свої зусилля на розвитку технології 1c DRAM для використання у ядрах чипів сьомого покоління високопродуктивної пам’яті (HBM) HBM4E і планує поставити зразки цього року. Оскільки головний клієнт HBM, Nvidia, планує у другій половині наступного року випустити новий AI-акселератор “Vera Rubin Ultra” з підтримкою HBM4E, SK Hynix має прискорити свої дослідницькі й дослідно-конструкторські роботи. Джерела також повідомили, що вихід придатної продукції 1c DRAM загального призначення у SK Hynix досяг 80%. Компанія планує цього року перевести понад половину своїх виробничих потужностей DRAM на технологію 1c, а наприкінці року забезпечити виробництво близько 190 тисяч пластин на місяць.