Samsung будет использовать 3-нанометровый процесс TSMC для производства специализированных HBM-основных чипов Nvidia

Согласно сообщению Seoul Economic Daily в воскресенье, Samsung Electronics применит 3-нм техпроцесс TSMC для производства подложечных пластин для следующего поколения кастомных HBM-чипов Nvidia. Этот шаг станет первым случаем сотрудничества Samsung с TSMC на этапе производства HBM. Издание со ссылкой на источники в отрасли сообщает, что Nvidia потребовала от Samsung, SK Hynix и Micron Technology использовать технологии TSMC для изготовления подложек NVHBM, а также применять шестое поколение DRAM для производства основных чипов. По данным компании, представленный в августе этого года NVHBM интегрирует кастомный контроллер памяти Nvidia непосредственно в подложку и направлен на обеспечение стандартизированной реализации среди различных поставщиков памяти. По информации Seoul Economic Daily, Samsung после внутренней оценки согласилась на требования Nvidia, но планирует продолжить использовать собственные производственные мощности для выпуска стандартных HBM и кастомных продуктов для других клиентов. Издание со ссылкой на источники также сообщает, что Samsung рассматривает возможность собственного производства подложек NVHBM на случай, если спрос превысит производственные мощности TSMC.