Сообщается, что Kioxia планирует частично заменить DRAM усовершенствованной NAND.

Gelonghui, 4 сентября — Согласно рыночной информации, компания Kioxia недавно провела технический брифинг по полупроводниковым запоминающим устройствам и другим технологиям. Kioxia планирует с помощью CXL-модулей, специально разработанных для рабочих нагрузок искусственного интеллекта, повысить скорость обработки NAND-флэш-памяти и заменить часть DRAM. Как сообщается, CXL-модули могут сократить время, необходимое для чтения данных, до менее чем 1/10 от традиционных продуктов; благодаря высокой скорости чтения их производительность может быть ближе к DRAM. В Kioxia отмечают, что если заменить часть DRAM на CXL-модули, объем памяти может увеличиться в два раза, а производительность — на 30%.