После роста NAND на 70% за квартал SK Hynix возобновляет второй этап в Даляне, ускоряя соревнование с Samsung в Сиане

Согласно сообщению TrendForce, SK Hynix планирует во второй половине 2026 года возобновить ранее отложенный проект второго этапа расширения фабрики в Даляне и добавить производственную линию V8 (238 слоев) NAND. Этот проект ранее был приостановлен из-за спада на рынке NAND и экспортного контроля со стороны США, а его возобновление знаменует переход компании от исторического восстановления цен на NAND к реальному расширению производственных мощностей.

По данным News Tomato, SK Hynix начнёт установку производственного оборудования во втором полугодии текущего года на второй очереди завода в Даляне, а строительство объектов будет завершаться поэтапно к первой половине 2027 года. Китайские партнеры уже приступили к перемещению неиспользуемого оборудования NAND в Далянь, а зарубежные поставщики, как сообщается, уже получили предварительные заказы на поставку оборудования.

Sisa Journal далее уточняет детали по производственным мощностям: на втором этапе завода в Даляне будет добавлена производственная линия V8 (238 слоев) с ежемесячной производительностью от 30 до 50 тысяч пластин. Первый этап завода в Даляне, в свою очередь, производит глубокую модернизацию линий до 192-слойного NAND и заменяет устаревшее оборудование.

Переломный момент приостановки: от экспортного контроля к ежегодному утверждению

Расширение второго этапа завода в Даляне ранее застопорилось по двум причинам: неопределенность, связанная с экспортным контролем США на полупроводниковое оборудование для Китая, а также постоянный спад на рынке NAND.

В аспекте регулирования произошла значимая перемена. По сообщению News Tomato, США заменили прежнюю систему “Подтвержденного конечного пользователя” (VEU) на ежегодную процедуру утверждения поставок оборудования, что уменьшило неопределенность с поставками и дало SK Hynix возможность возобновить расширение в Даляне.

Время этого изменения важно для анализа. В нынешних условиях рынок наблюдает, сможет ли SK Hynix, воспользовавшись ростом направлений DRAM и HBM, через расширение в Даляне реализовать синергию покупки NAND-бизнеса Intel за 11 трлн вон (примерно 8 млрд долларов США). В отчёте отмечается, что вторая очередь в Даляне рассматривается как самая быстрая площадка расширения среди NAND-предприятий SK Hynix.

Отраслевые причины запуска V8: исторический максимум цен на NAND

Выбор времени для возобновления расширения не случаен. В первом квартале 2026 года средняя продажная цена NAND у SK Hynix выросла к кварталу более чем на 70%, установив рекорд за один квартал. Прогноз на второй квартал говорит о том, что объёмы отгрузки NAND "сменят негативный тренд на рост" и покажут восстановление по отношению к предыдущему кварталу. Улучшение и цены, и объёмов поставок обеспечило основу для решения о возобновлении ранее отложенных инвестиций.

По данным Korea Times, инвестиции SK Hynix в дочернюю компанию по производству NAND в Даляне в 2025 году увеличатся до 440,6 млрд вон, что на 52% больше по сравнению с предыдущим годом — и это ещё до официального запуска второго этапа расширения. Компания уже ускоряет инвестиции в сегменте NAND.

В плане технологического развития SK Hynix уже завершила верификацию производства 375-слойной 3D NAND и планирует начать её массовое производство на заводе M15 в Чхонжу до конца года. Линия V8 (238 слоев) в Даляне формирует следующий технологический уровень, обслуживая разные рыночные сегменты.

Обострение конкуренции: ускорение модернизации фабрики Samsung в Сиане

SK Hynix — не единственный крупный производитель памяти, расширяющий мощности NAND в Китае. Согласно информации Sisa Journal, Samsung Electronics также ускоряет модернизацию своей фабрики NAND в Сиане. Samsung завершила к 30 марта переоснащение производственной линии с 128-слойного V6 на 236-слойный V8 и сейчас переходит к массовому производству.

Инвестиционные данные подтверждают эту тенденцию. По оценкам Sisa Journal, инвестиции Samsung в завод NAND в Сиане в 2025 году составят порядка 304 миллионов долларов, что примерно на 67,5% больше год к году. Одновременное расширение мощностей двумя ведущими производителями памяти в Китае означает переход глобального предложения NAND от периода сжатия к фазе расширения.

С точки зрения сроков, запуск массового производства V8 на фабрике Samsung в Сиане уже стартовал, а установка оборудования для второго этапа V8 у SK Hynix в Даляне ожидается только во второй половине года, что означает разницу в темпах вывода новых мощностей на несколько кварталов.