Samsung Electronics ускоряет разработку памяти нового поколения с высокой пропускной способностью, первая партия HBM4E будет произведена в мае

По данным Golden Ten Data от 17 апреля, Samsung Electronics активно продвигает разработку своего следующего поколения высокопроизводительной памяти с высокой пропускной способностью (HBM), чтобы еще больше укрепить свои позиции на рынке высококлассной искусственного интеллекта памяти. Сообщается, что Samsung Electronics планирует начать производство первых образцов HBM4E, соответствующих стандартам NVIDIA, уже в мае 2026 года. По словам представителей отрасли, у Samsung четко составленный и насыщенный график. Компания ставит цель, чтобы к середине следующего месяца производственный отдел успешно изготовил образцы основных логических чипов HBM4E. (ChosunBiz)