SK Hynix активно продвигает 1c DRAM: выход годных уже достиг 80%, более половины производственных мощностей будет переоборудовано в этом году.

Согласно Golden Ten Data от 9 апреля, по данным dealsite, SK Hynix ускоряет повышение конкурентоспособности своей DRAM шестого поколения с технологией 10 нанометров (1c), а инвестиции в оборудование с использованием экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения для этого процесса увеличены примерно втрое по сравнению с первоначальными планами. По словам представителей отрасли, SK Hynix сосредотачивает усилия на развитии технологии 1c DRAM для применения в ядрах микросхем высокоскоростной памяти седьмого поколения (HBM) HBM4E и планирует в этом году передать образцы. Поскольку крупнейший клиент в сегменте HBM, NVIDIA, планирует запустить в следующем году новое поколение AI-ускорителей "Vera Rubin Ultra" с поддержкой HBM4E во второй половине года, SK Hynix необходимо ускорить темпы исследований и разработок. По словам источников, выход годных микросхем 1с DRAM общего назначения SK Hynix уже достиг 80%. Компания планирует в этом году перевести более половины своих мощностей по производству DRAM на технологию 1c и ожидает, что к концу года обеспечит производственную мощность около 190 тысяч пластин.