A Samsung utilizará o processo de 3 nanômetros da TSMC para produzir wafers de HBM personalizados para Nvidia.

Segundo reportagem publicada pelo Seoul Economic Daily neste domingo, a Samsung Electronics irá utilizar o processo de fabricação de 3 nanômetros da TSMC para produzir os dies base dos chips HBM personalizados de próxima geração para a Nvidia. Esta ação marcará a primeira colaboração da Samsung com a TSMC na etapa de fabricação de HBM. O jornal, citando fontes do setor, relatou que a Nvidia solicitou à Samsung, SK Hynix e Micron Technology que utilizassem o processo da TSMC para fabricar os dies base do NVHBM, além de empregar a tecnologia DRAM de sexta geração para produzir seus chips principais. De acordo com a empresa, o NVHBM, cujo lançamento está previsto para agosto deste ano, integrará o controlador de memória personalizado da Nvidia ao substrato, com o objetivo de viabilizar uma implementação padronizada entre vários fornecedores de memória. Conforme noticiado pelo Seoul Economic Daily, após avaliação interna, a Samsung atendeu à solicitação da Nvidia, mas planeja continuar utilizando o modelo de produção própria para fabricar HBM padrão e outros produtos personalizados destinados a diferentes clientes. Fontes citadas pelo jornal afirmam ainda que a Samsung avalia se sua própria fundição será capaz de produzir os dies base do NVHBM caso a procura supere a capacidade da TSMC.