Variação incomum nas ações dos EUA: Navitas Semiconductor teve um grande aumento em 29 de setembro devido ao projeto de 10kV e aos chips de SiC.

Análise do forte aumento da 纳微半导体 em 29 de setembro

Palavras-chave: projeto 10kV, chip SiC

1. Em 28 de setembro, a empresa anunciou que foi selecionada para o projeto ALATTIS, objetivando desenvolver a próxima geração de tecnologia de semicondutores de potência de carbeto de silício de 10kV, e irá desenvolver e validar o processo de fabricação de dispositivos SiC de ultra-alta tensão por meio de design, fabricação e testes.

2. Em 28 de setembro, a empresa revelou que seu principal foco está na próxima geração de semicondutores de potência GaNFast de nitreto de gálio e GeneSiC de carbeto de silício, sendo que o reconhecimento do projeto ressaltou a capacidade da empresa em tecnologia SiC de ultra-alta tensão e na cadeia de fornecimento de fabricação.

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