A Samsung Electronics irá dobrar a produção de HBM4 e HBM4E no próximo ano.

Prevê-se que, no próximo ano, a produção da Samsung Electronics da série HBM4 atinja pelo menos o dobro da deste ano, incluindo a sexta geração de memória de alta largura de banda (HBM4) e a sétima geração HBM (HBM4E). Anteriormente, a empresa tinha planos de aumentar a procura de “substratos de vidro” para 2,5 vezes o volume deste ano. O substrato de vidro é o suporte de vidro utilizado durante o processo de thinning do wafer de DRAM utilizado para HBM. Segundo informações do setor de semicondutores, divulgadas no dia 20, a Samsung Electronics irá aumentar a quantidade de limpeza externa de substratos de vidro, essencial no processo de produção de HBM, de 20.000 unidades por mês este ano para 50.000 unidades por mês no próximo ano. No ano passado, eram necessárias apenas 10.000 unidades mensais de substratros de vidro, o que significa que o volume deste ano já é o dobro do do ano passado, e no próximo ano chegará a 2,5 vezes esse número. O substrato de vidro é um suporte temporário que é afixado à parte inferior do wafer de DRAM usado em HBM, para evitar empenamento ou fissuras durante os processos de moagem, thinning e perfuração do wafer. Como o HBM requer empilhamento de múltiplos dies de DRAM numa espessura limitada, à medida que o número de camadas de empilhamento aumenta, as tecnologias de thinning de wafer e de controlo de deformação tornam-se ainda mais importantes.A Samsung Electronics está a preparar-se ativamente para expandir a produção de HBM4 e HBM4E, com foco em produtos com 12 camadas ou mais de empilhamento. Especialistas do setor acreditam que, mesmo considerando que os substratos de vidro são reutilizados após a limpeza, e que o consumo pode variar conforme o processo e o yield, o aumento no volume para 2,5 vezes ainda indica que a produção de HBM4 e HBM4E provavelmente será pelo menos o dobro da deste ano.Em fevereiro deste ano, a Samsung Electronics começou a produção em massa e entrega de HBM4, produto que conta com DRAM de sexta geração de nível 10nm (1c), além de um die base fabricado com tecnologia de 4nm (sendo o nm equivalente a um bilionésimo de metro). Em maio, a empresa também forneceu amostras de HBM4E 12-High para clientes, incluindo a NVIDIA.O setor prevê que, considerando o volume médio mensal de wafer processado, a produção de HBM da Samsung Electronics irá aumentar de cerca de 180.000 unidades este ano para cerca de 250.000 unidades no próximo ano, um crescimento de quase 40%. Em relação à proporção de envios por produto, também há previsões de que, com a produção em massa total de HBM4E, a participação da série HBM4 aumentará de cerca de 40% este ano para aproximadamente 80% no próximo ano. Um dos profissionais do setor explicou: “Com a expansão da produção de HBM pela Samsung Electronics, a empresa parece estar a posicionar o produto de alto valor agregado HBM4 como núcleo da sua estratégia”.