Samsung colabora com a ASML para desenvolver tecnologia de litografia EUV de alta NA
智通财经2026/09/08 23:36Mostrar original
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Segundo o Seoul Economic Daily, a Samsung Electronics irá colaborar com a maior fabricante mundial de equipamentos de litografia, a ASML, para desenvolver conjuntamente a tecnologia de litografia ultravioleta extrema (EUV) de alta abertura numérica (High-NA). A Samsung está envolvida em uma iniciativa que visa alterar o padrão industrial, passando dos fotomáscaras de 6 polegadas, utilizados desde a década de 1980, para versões de 12 polegadas, e pretende ser pioneira na criação de um sistema de produção em massa de DRAM baseado em equipamentos High-NA EUV. A Samsung planeja aplicar equipamentos High-NA EUV à produção de DRAM a partir de 2028 e, posteriormente, expandir ainda mais esta tecnologia para processos lógicos avançados de 1,4 nanómetros, impulsionando o desenvolvimento do seu negócio de fundição de semicondutores. A ampliação do tamanho dos fotomáscaras visa compensar as limitações da tecnologia EUV. A High-NA EUV tem uma abertura numérica 66% maior que a EUV tradicional, o que permite a formação de padrões de circuitos ainda mais finos. Substituir as atuais fotomáscaras de 6 polegadas pelas de 12 polegadas pode aumentar a eficiência produtiva das fábricas de bolachas semicondutoras e reduzir os custos de fabricação de chips.
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