Ruchy na amerykańskiej giełdzie: Navitas Semiconductor gwałtownie rośnie 29 września dzięki projektowi 10kV i układom scalonym SiC

Znaczący wzrost akcji Navitas Semiconductor 29 września – analiza

Słowa kluczowe: projekt 10kV, układy scalone SiC

1. 28 września spółka ogłosiła, że otrzymała projekt ALATTIS, mający na celu rozwój nowej generacji technologii półprzewodników mocy z węglika krzemu 10kV, a ponadto poprzez projektowanie, produkcję i testy opracuje oraz zweryfikuje procesy produkcji urządzeń SiC o bardzo wysokim napięciu.

2. 28 września spółka ujawniła, że jej główną działalnością jest nowa generacja półprzewodników mocy GaNFast (azotek galu) oraz GeneSiC (węglik krzemu). Ocena projektu potwierdziła kompetencje firmy w zakresie technologii bardzo wysokich napięć SiC oraz łańcucha dostaw produkcji.

(Zastrzeżenie: Niniejsza treść została opracowana przez technologię AI na podstawie publicznie dostępnych informacji, ma charakter wyłącznie informacyjny i nie stanowi porady inwestycyjnej)