Według doniesień południowokoreańskiego dziennika ekonomicznego Seoul Economic Daily, SK Hynix wznowił budowę drugiego etapu fabryki produkcji pamięci NAND we własnym zakładzie w chińskim Dalian, zwiększając moce produkcyjne o około 50%. Fabryka została uruchomiona cztery lata temu, ale na dłuższy czas wstrzymano budowę z powodu słabego rynku pamięci masowej. SK Hynix planuje wprowadzić sprzęt do produkcji półprzewodników jeszcze w tym roku, a oficjalne uruchomienie produkcji przewidziane jest

Według doniesień południowokoreańskiego „Seoul Economic Daily”, SK Hynix wznowiła budowę drugiego etapu fabryki produkcji pamięci NAND flash w Dalian (Chiny), zwiększając moce produkcyjne o około 50%. Budowa tej fabryki rozpoczęła się cztery lata temu, lecz ze względu na stagnację na rynku pamięci została na dłuższy czas wstrzymana. SK Hynix planuje wprowadzić sprzęt do produkcji półprzewodników jeszcze w tym roku, a oficjalne uruchomienie produkcji ma nastąpić w pierwszej połowie przyszłego roku. Cykl inwestycyjny w Dalian został wznowiony po czterech latach z powodu rosnącego popytu na dyski SSD klasy korporacyjnej, napędzanego popularyzacją centrów danych do obsługi sztucznej inteligencji, a cena pamięci NAND wzrosła niemal dziesięciokrotnie w ciągu roku.