Ang 4F2 ng Changxin Storage ay nagpapatuloy sa mga stock ng storage: Sinabi ng Goldman Sachs na ang agwat sa kapasidad ng produksyon ay lumiliit, ngunit malaki pa rin ang agwat sa advanced na DRAM at HBM na teknolohiya.

Matapos ang balitang 4F2 ng ChangXin, tinatayang nasa 738 bilyong dolyar ang nabawas sa market value ng mga storage stock.Ayon sa pagsusuri ng Goldman Sachs: Maliit ang pagtaya ng merkado sa kapasidad na mabilis lumaki ng ChangXin, ngunit sobra naman ang pagbigay halaga sa tagumpay sa teknolohiya; bumaba ng mas mababa sa net asset ng 2028 ang Samsung at SK Hynix, na ipinalalagay nang kabilang sa down cycle.

Isang balitang teknikal, higit pitong daang bilyong dolyar na market value

Noong Oktubre 10, may ulat na umusad ang ChangXin Memory sa bagong DRAM memory cell architecture na tinatawag na 4F2. Ayon sa kanilang presidente, planong i-launch ang bagong server memory products na base sa 4F2 bago matapos ang 2026.Pagkatapos lumabas ang balita, bumagsak ang stock price ng malalaking memory companies sa mundo: bumagsak ng 20% ang Samsung Electronics, 25% ang SK Hynix, 11% ang Micron, 11% ang SanDisk, 26% ang Kioxia, at mismong ChangXin ay bumagsak din ng 15%. Sa kalkulasyon ng Goldman Sachs, humigit-kumulang 738 bilyong dolyar ang nabura sa kabuuang market value ng storage sector.

Sa pag-aaral ng pagbaba, may dalawang hindi tugma sa paliwanag na “banta teknolohikal ng ChangXin”.Una, mismong ChangXin ay bumaba rin ng 15%. Kung seryoso ang merkado na 4F2 bilang armas ng ChangXin sa pagkamit ng market share, hindi dapat sumabay ang ChangXin sa pagbaba ng mga kakompetensya. Pangalawa, ang Kioxia at SanDisk ay pangunahing gumagawa ng NAND flash, na hindi gaanong konektado sa DRAM memory cell architecture, ngunit kapantay ang pagbaba nila sa SK Hynix, at mas malaki pa ang Kioxia. Kaya’t tingin ng Goldman Sachs, may iba pang salik sa pagbagsak na ito – kabilang dito ang pangamba sa credit at AI financing, pati na rin sa mas mataas kaysa inaasahang CPI data.

Lalo pang kapansin-pansin ang pagkakaiba sa pagitan ng presyo at presyo ng stocks.Ang spot price ng DRAM ay itinuturing na indicator ng market sentiment, dahil siya ang nagpapakita ng handang bayaran ng middleware at maliliit na kustomer sa kasalukuyan. Sa parehong panahon na bumagsak ang market cap ng Samsung at SK Hynix, paakyat ang spot price ng DDR5 16Gb mula kalagitnaan ng Setyembre hanggang kalagitnaan ng Oktubre—nasa pinakataas ang spot price noong bumaba ang stock price. Ibig sabihin, ang galaw ng stocks ay nakadepende sa pag-aalala sa supply sa hinaharap at hindi sa kasalukuyang supply and demand.

Iyan mismo ang gustong sagutin ng Goldman Sachs: Sa balita ng ChangXin na 4F2, alin ang may basehan sa pangamba at alin ang labis-labis nang naipresyo sa stocks.Nahati sa dalawa ang kanilang konklusyon. Posibleng mababa ang tantya ng merkado sa bilis ng pagtaas ng kapasidad ng storage ng China at sa potensyal nito sa teknolohikal na pagsulong; sumasang-ayon ang Goldman sa una, mabilis ngang humahabol ang kapasidad ng ChangXin; subalit sobra naman ang tingin sa teknikal breakthrough, dahil kailangan ng mahabang panahon ang customer verification, mass production sa mataas na yield, at pagbawas ng agwat sa advanced DRAM gaya ng HBM.

Ano ang 4F2: Pagtaas ng density gamit ang cell structure

Ang DRAM chip ay binubuo ng bilyon-bilyong memory cells, at bawat cell ay nag-iimbak ng isang bit ng data sa pamamagitan ng charge.Ang “F” ay ginagamit ng industriya bilang pinakamaliit na feature size ng proseso, at sinusukat ang cell area bilang F squared. Karaniwang gumagamit ang mainstream DRAM ng 6F2 layout, na equivalent sa 3F×2F per cell; sa 4F2, tipid sa 2F×2F ang bawat cell.

Kung hindi nababago ang F, ang cell area mula 6F2 ay bumababa sa 4F2, kaya halos kalahating dagdag ang mga cell sa parehong area at mas mataas ang bit density.Para sa isang wafer fab, ibig sabihin ay mas marami ang makukuhang memory cells sa parehong wafer, kaya may tsansang bumaba ang unit bit cost.

May diretsong kapalit ito.Habang lumiliit ang cell, mas nagiging mahina sa leakage ang transistors at mas madaling mawala ang charge ng memory. Dalawang bahagi ang solusyon ng ChangXin: una, VSG (vertical surround gate) transistor, kung saan tinatayong patayo ang channel ng current at balot ito ng gate para kontrolin ang current at bawasan ang leakage; pangalawa, W2W (wafer-to-wafer) hybrid bonding, kung saan hiwalay na ginagawa ang memory cell at control circuit sa magkahiwalay na wafer gamit ang pinakamabagay na proseso, tapos’t siksik ang pagkakabonding ng dalawa.

Inilista rin ng Goldman Sachs ang mga hamon sa paggawa ng 4F2: dapat pantay-pantay lahat ng patayong transistor; kailangan pa ring magtabi ng sapat na charge ang capacitor sa mas maliit na area; dapat eksakto ang disenyo ng denser wire layout para hindi mag-interfere; dagdag ang hakbang ng hybrid bonding at dapat exact match ang storage layer at control circuit layer.Lahat ng ito ay tataas ang production cost, bababa ang yield, at posibleng mawala ang benepisyo ng 'mas maraming cell sa parehong area'.

Bakit pinili ng ChangXin ang 4F2: Isang alternatibong landas kapag limitado ang EUV

May dalawang paraan karaniwang nilalakaran ng DRAM para taas ang density: paliitin ang F, o paliitin ang bilang ng F squared ng bawat cell.Sa mga nakaraang taon, ang industriya ay pangunahing nag-uunlad sa unang paraan, na sa mas advanced nodes ay nakadepende lalo sa mas pinong photolithography, lalo na ang EUV (extreme ultraviolet lithography) ng ASML.

Hindi makakuha ng EUV ang ChangXin, kaya may limitasyon sa pagpaliit ng F.Ang paglipat ng ChangXin sa 4F2 ay interpretasyon ng Goldman Sachs na tugon sa limitasyong iyon: mula 6F2 papuntang 4F2, hindi kailangan lumaganap ang mas pinong lithography, pero tataas pa rin ang density. Nililinaw nito kung bakit handa ang ChangXin na harapin agad ang hirap ng production ng 4F2, samantalang iba ang kalagayan ng mga Koreanong kompanya.

Noong Agosto, nadiskusyunan na rin ang parehong set ng limitasyon: Nanatiling mahina ang Chinese memory sa immersion DUV lithography, high-end metrology, ilang manufacturing software, at HBM packaging/certification. Malaki ang gap sa “maaaring gamitin” na equipment at “kayng gamitin” na mass production line—kinakailangan ang stability, throughput, at yield responsibility.Ang 4F2 ay isang structural solution na iniiwasan ang bottleneck ng lithography, ngunit nililipat lamang ang hamon mula lithography, patungong vertical transistor, capacitor, at bonding—hindi nito ginawang mas madali ang proseso.

Gumagawa rin ng 4F2 ang Samsung at SK Hynix, pero hindi nagmamadali

Hindi eksklusibo sa ChangXin ang 4F2 route.Ayon sa midya sa South Korea, nagawa ng Samsung ang unang DRAM working chip sa mundo na sub-10nm gamit ang 4F2 architecture at VCT (vertical channel transistor, kahalintulad ng VSG ng ChangXin), plano nilang tapusin ang development ng 4F2-based 10a node DRAM bago matapos ang 2026, na sumailalim sa customer verification ng 2027, at mass production ng 2028. Balak ng Samsung na gamitin ang 4F2 at VCT mula 10a, 10b, hanggang 10c nodes; mula 10d, lilipat na ng 3D DRAM.

Dinagdag na rin sa roadmap ng SK Hynix ang 4F2 para sa susunod na henerasyon: sa 10nm at mas mabababa, gagamitin ang 4F2 vertical gate platform at ilalagay ang control circuit sa ilalim ng memory cell gamit ang wafer bonding.Noong Hulyo 2026, natapos na ng SK Hynix ang read-write verification sa isang 4F2 test array.

Hindi problema kung “alam bang gumawa” ng 4F2—ang tanong ay bakit ginawa at kailan kailangan gawin.May EUV equipment sina Samsung at Hynix, kaya maaari pa nilang ituloy ang pagtaas ng density at performance sa pamamagitan ng pag-paliit ng F, nang hindi nararanasan agad ang loss sa yield o pagtaas ng cost ng 4F2; kaya’t ang 4F2 ay naka-schedule sa sub-10nm node at mass production sa mga bandang 2028 kapag nasa hangganan na ng kasalukuyang route. Dahil wala namang EUV ang ChangXin, obligasyon sa kanila ang 4F2.

Kaya ipinunto ng Goldman Sachs, hindi ang laboratoryoproduction ng 4F2 ang tanong, kundi kung makakapagbigay ba ito ng manufacturing efficiency at economic returns.Nasa sariling schedule ang Samsung at SK Hynix; kahit na mas maaga pang magpadala ng sample ang ChangXin, hindi ibig sabihin na babaligtad ang teknikal route ng mga Koreano.

Mula disenyo hanggang mass production: ilang hakbang pa ang kailangan ng ChangXin

Para sa Goldman Sachs, masyado pang maaga para husgahan ang magiging epekto ng 4F2 sa fundamentals ng Samsung at SK Hynix.Kailangan talaga ng limang uri ng impormasyon, na hindi pa makikita sa kasalukuyang public information: anong development stage—R&D sample o customer sample; kung competitive ba ang cost at mas mura kumpara sa mga produkto ngayon; expected yield; customer verification timeline; commercial timeline.

Ayon sa mga ulat, nasa product design stage pa lang ang ChangXin, target na makapagpadala ng sample sa end-2026.Kung kayanin ito on schedule, isang malaking achievement na yun technically. Pero binigyang diin ng Goldman Sachs na mula sampling hanggang customer verification, at lalo na papuntang mass production, ibang lebel na entirely ng hirap.

Lalo na sa server memory.Mas mataas ang requirements ng server customers para sa stability, compatibility, at long-term reliability kaysa consumer electronics. Kailangan dumaan sa maraming test sa CPU platform, motherboard at cloud providers bago makapasok sa procurement list; pagkatapos makuha ang verification, kailangan pang abutin ang competitive yield sa mass production. Mismong schedule ng Samsung, tapos ang 4F2 development end 2026, magve-verify sa 2027, at mass production ng 2028—ibig sabihin may dalawang taong gap pa mula matapos development bago mag-mass production. Kung gayahin ang schedule ng Samsung, at makapagpadala ng sample ang ChangXin sa end 2026, aabutin pa ng 2028 bago magkabisa ito sa market supply, depende rin sa yield at cost.

Iyan ang pangunahing basehan ng Goldman sa “sobra ang pagpresyo sa technological breakthrough”: Ang merkado ay nagpresyo agad base sa balita ng product design phase, na outcome ay depende pa sa yield at cost na aabot ng dalawang taon o higit pa bago mapatunayang makakamit.

Gap sa nodes: 1z kumpara sa 10b, 1c

Maliban sa bagong 4F2 route, kapansin-pansin pa rin ang gap ng ChangXin at Korean companies sa kasalukuyang 6F2 tech.Mula 1x, 1y, 1z, hanggang 1a, 10b, 1c ang evolusyon ng DRAM node—mas mataas ang numero’t letra, mas advanced. Sa datos ng Goldman Sachs mula TF at company report, karamihan ng kapasidad ng Samsung at SK Hynix ay nasa 10b at papunta sa 1c; samantalang majoridad ng ChangXin ay nasa 1z, at 2027 malamang ay doon pa rin sila.

Ayon sa Goldman Sachs, mahirap na para sa ChangXin na lumipat sa 10b, 1c na advanced nodes kung walang EUV.Gumagamit na ang global na mga DRAM players ng EUV sa ilang process step ilang taon na ang nakaraan: SK Hynix mula 1a node, Samsung mas maaga pa. Posibleng magpatuloy ang ChangXin ng scaling nang walang EUV, pero may limits ito sa tech at dagdag gastos.

Klaro rin ang pagkakaiba sa henerasyon ng produkto.Sa LPDDR (low power DDR)—karaniwang ginagamit sa phone at laptop—tinatayang 2026, nasa 85% ng output ng Samsung, 76% ng SK Hynix ay LPDDR5/5X, samantalang ChangXin ay mga 29% lang, at karamihan ay LPDDR4/4X. Mula halos zero noong 2024, tataas sa 14% ng ChangXin by 2025—hindi mabagal, pero mas mababa pa rin sa antas ng Koreanang kumpanya ng 2024.

Gap sa kapasidad: tanging indicator na mabilis bumababa

Kung ang node at generation gap ay mahirap punan agad, ang capacity ang pinaka mabilis na nahahabol ng ChangXin.Ayon sa Goldman Sachs, sa end-2026, aabot sa 770,000 at 660,000 wafers per month ang DRAM capacity ng Samsung at SK Hynix, samantalang ChangXin ay 290,000 wafers. Sa end-2028, lalago kaagad ang ChangXin sa 513,000 wafers—77% growth sa loob ng dalawang taon; ang Samsung at SK Hynix ay 930,000 at 770,000 wafers, laki lang ng paglago ng 21% at 17%.

Sa kalkulasyon ng Goldman, mula end-2026 hanggang end-2028, magdadagdag ng 223,000 wafers/ buwan ang ChangXin, mas marami kaysa Samsung (160,000) at SK Hynix (110,000); sa total na dagdag ng tatlong kumpanya—493,000 wafers—ChangXin ang may halos 45%.Ang wafer capacity ng ChangXin kumpara sa Samsung, mula mga 38% aakyat sa mga 55%; kumpara sa SK Hynix, mula mga 44% hanggang 67%. Sa kabuuang capacity ng tatlo, tataas ang share ni ChangXin mula approx. 17% sa 23%.

Ang projection na ito ay basically kapantay ng dati pang binanggit ng Morgan Stanley: estimated na 300,000 wafers/ buwan ang capacity ng ChangXin sa 2026 at 500,000 sa 2028, and ChangXin ay 13% ng global DRAM capacity pero 11% lang ng bit shipment.Mas mataas ang wafer share kaysa sa bit share, dahil mas luma ang nodes ng ChangXin at mas kaunti ang capacity ng bawat wafer. Magkatulad ang pananaw ng dalawang institusyon sa kapasidad; ang pinagtatalunan ay kailan makakaapekto sa presyo ang pang bagong kapasidad.

Tinataya ng Goldman na lampas 2028 ay malaki pa rin ang lamang ng Koreanong kumpanya pagdating sa kapasidad, ngunit aminado sa bilis at determinasyon ng ChangXin na mag-expand.Ang memory ay transparent sa presyo, bulk commodity—kahit dagdag supply mula lumang node, hangga’t papasok sa mainstream application, ay babago sa marginal price. Mas direktang nakakaapekto ang catch-up sa kapasidad kaysa catch-up sa teknolohiya sa price level ng DRAM, kaya ito ang dahilan kung bakit sumasang-ayon ang Goldman na 'underestimated ng market dati ang capacity ramp-up'.

HBM: pinakamalaking agwat ay nasa base chip

Sa HBM (high bandwidth memory), mas malaki pa ang hadlang kay ChangXin para humabol ayon sa Goldman Sachs.Ang HBM ay pinagtatambak na multi-layer DRAM chips nang patayo, binubuo ng through-silicon vias, at ini-eenclose kasama ng GPU—ang pinaka-kritikal na part ng AI accelerator. Hindi lang DRAM, kundi pati packaging technology at manufacturing capability ng base chip sa ibaba ng stack ang katunggali rito.

Sa HBM3 at mas naunang generasyon, pwede pa ang mature process sa base chip.Sa susunod na henerasyon, para makasabay sa mas mataas na bandwidth at mas mabuting efficiency, advanced foundry process na ang base chip—4nm process ang gamit ng Samsung HBM4 base chip. Para makagawa ng competitive next-gen HBM ang ChangXin, kailangang makapagmass produce ang mga lokal na foundry ng advanced node base chip; pero pinipigilan ng export control ang access sa EUV at ibang advance equipment, kaya't magpapatuloy na bottleneck ang base chip.

Sa punto na iyon, ang gap ng ChangXin ay mula “storage process” ay lumawak na rin sa “foundry process”.Puwede mang makalapit ang ChangXin sa density ng general DRAM gamit ang 4F2, hindi masosolusyonan ang dependency ng HBM base chip sa advanced logic process. Kaya't limitado lang ang direct impact ng ChangXin 4F2 sa HBM business ng dalawang Korean companies.