IQEとTowerは多年にわたるリン化インジウム供給契約を締結し、オプトエレクトロニクスおよび高周波通信分野での展開を強化

格隆汇6月15日｜グローバルな化合物半導体ウェハおよび先端材料ソリューションのサプライヤーであるIQE plcと、高付加価値アナログ半導体ファウンドリーのTower Semiconductorは本日、長期的なインジウムリン(Indium Phosphide、略称InP)エピウェハ(epiwafer)供給契約を締結したと共同発表しました。この協力は、両社が光電子および高周波通信分野での技術展開を強化することを目的としており、IQEの材料に関する専門技術とTowerのウェハ製造能力を統合することで、先進的な半導体ソリューションへの急速に高まる市場需要に応えます。 IQEとTowerの協力の中核は、インジウムリン(InP)材料の広範な応用に焦点を当てています。インジウムリンは、優れた電子移動度と光学特性を持つ、重要な化合物半導体材料であり、高速光ファイバー通信部品、レーザーダイオード(Laser Diodes)、およびフォトディテクター(Photodetectors)の製造に不可欠な基盤です。今回署名された長期供給契約を通じて、IQEはTowerにおけるインジウムリン・エピウェハ分野の重要な戦略的サプライヤーとなり、Towerが高性能光電子部品を生産する際、安定かつ高品質な材料確保を実現し、さらに市場での競争力強化を図ります。 グローバルなデータセンター・5G通信インフラおよび人工知能技術の急速な進展により、高帯域幅かつ低遅延伝送への需要が爆発的に増加しています。今回の両社の共同は、単なるサプライチェーン統合にとどまらず、技術開発面での深い連携を象徴しています。IQEはエピ成長技術におけるリーディングポジションを活かし、Towerにカスタマイズされたインジウムリンソリューションを提供、顧客が光通信およびセンシング用途でより高性能なチップ設計を実現できるよう支援し、両社が半導体サプライチェーンにおける重要な地位をさらに固めます。