Laporan: Produksi HBM4/HBM4E Samsung tahun depan diperkirakan akan berlipat ganda, dengan proporsi produk meningkat dari 40% menjadi 80%

Samsung Electronics tengah bertaruh besar pada memori bandwidth tinggi generasi berikutnya, di mana perusahaan sepenuhnya beralih ke produk bernilai tambah tinggi dalam persaingan chip penyimpanan AI.

Menurut laporan Seoul Economic Daily, Samsung Electronics berencana untuk meningkatkan volume pembersihan outsourced untuk "substrat kaca" yang sangat penting dalam proses produksi HBM, dari 20 ribu keping per bulan tahun ini menjadi 50 ribu keping per bulan tahun depan, meningkat sebesar 2,5 kali lipat. Berdasarkan hal ini, para pelaku industri memperkirakan output HBM4 dan HBM4E tahun depan akan setidaknya dua kali lipat dibanding tahun ini. Sementara itu, total volume wafer HBM bulanan Samsung diperkirakan akan meningkat dari sekitar 180 ribu keping tahun ini menjadi sekitar 250 ribu keping tahun depan, naik hampir 40%.

Di balik ekspansi produksi ini, terdapat fokus strategis Samsung pada produk generasi lanjutan. Seiring produksi massal HBM4E yang secara bertahap meluas, proporsi seri HBM4 dalam total pengiriman HBM diperkirakan akan naik tajam dari sekitar 40% tahun ini menjadi sekitar 80% tahun depan. Perubahan struktural ini berarti Samsung akan mengalokasikan lebih banyak sumber daya kapasitasnya ke produk-produk dengan margin laba tinggi.

Substrat kaca adalah bahan konsumsi utama dalam proses produksi HBM. Dalam proses grinding-pengikisan wafer DRAM hingga menipis dan pengeboran, substrat kaca ditempelkan di bagian belakang wafer guna mencegah wafer melengkung atau pecah.

Karena HBM membutuhkan penumpukan banyak lapisan chip DRAM dalam ketebalan terbatas, meningkatnya jumlah lapisan membuat teknologi penipisan wafer dan kontrol kelengkungan menjadi semakin penting. Proses ekspansi utama Samsung, HBM4 dan HBM4E, berpusat pada produk dengan tumpukan 12 lapis atau lebih, sehingga menuntut proses substrat kaca yang jauh lebih ketat.

Menurut Seoul Economic Daily, kebutuhan bulanan Samsung atas substrat kaca naik dari 10 ribu keping tahun lalu menjadi 20 ribu keping tahun ini, dan akan semakin meningkat menjadi 50 ribu keping tahun depan. Analis industri menyatakan bahwa meskipun substrat kaca dapat digunakan kembali setelah dibersihkan, serta konsumsi aktual bervariasi tergantung metode input proses dan yield rate, peningkatan permintaan sebesar 2,5 kali tetap sangat menunjukkan ekspektasi output seri HBM4 akan lebih dari dua kali lipat.

Dalam hal progres produksi massal, Samsung telah memulai pengiriman produksi massal HBM4 pada bulan Februari tahun ini. Produk ini dibuat menggunakan DRAM generasi keenam berproses 10 nanometer (1c) serta chip dasar berproses 4 nanometer. Pada Mei tahun ini, Samsung juga mengirimkan sampel HBM4E 12 lapis ke pelanggan seperti NVIDIA.

Industri memperkirakan, ketika HBM4E memasuki tahap produksi massal penuh tahun depan, proporsi seri HBM4 dalam total pengiriman HBM Samsung akan naik tajam dari sekitar 40% tahun ini menjadi sekitar 80%. Seorang pelaku industri menyatakan: "Samsung tampaknya menempatkan HBM4, produk bernilai tambah tinggi, sebagai inti saat memperluas produksi HBM."

Perubahan struktur produk ini akan secara langsung meningkatkan profitabilitas keseluruhan bisnis HBM Samsung dan memperkuat posisinya dalam persaingan pasar memori akselerator AI.

Ekspansi produksi Samsung kali ini secara nyata mendorong rantai pasok hulu. Volume pembersihan substrat kaca outsourced akan meningkat lima kali lipat dalam dua tahun, dari 10 ribu keping per bulan menjadi 50 ribu keping, dan besaran pesanan untuk pemasok terkait meningkat sejalan.

Dari tren industri, peningkatan terus-menerus jumlah lapisan tumpukan HBM—dari 8 lapis, 12 lapis, menuju lapisan yang lebih banyak—menjadikan proses penipisan wafer dan penyangga semakin menjadi bottleneck dalam keseluruhan alur produksi. Lonjakan kebutuhan substrat kaca ini, selain mencerminkan ekspansi kapasitas Samsung secara langsung, juga mengindikasikan meningkatnya konsumsi material akibat bertambahnya kompleksitas proses HBM bertumpuk tinggi.