Musk habla sobre la producción de chips: La capacidad de manufactura a gran escala de China suele superar la del resto del mundo combinado.
Después de que Changxin Storage anunciara avances clave en la memoria DDR5 para servidores, el índice de semiconductores de Filadelfia en la bolsa estadounidense cayó un 2,7% durante la noche, y las acciones de Micron, SK Hynix ADR, entre otras, también sufrieron una fuerte baja. Musk comentó sobre esta tendencia diciendo que, cuando China descifra el método de fabricación de un producto, su capacidad de producción en escala suele superar la del resto del mundo combinado, y agregó que "China parece estar avanzando rápidamente" en estándares generales como LP5 y LP6.
Las declaraciones más recientes de Musk sobre la capacidad de China para escalar su industria manufacturera a gran escala han intensificado la ansiedad competitiva ya existente en la industria de chips.
Durante la noche, la noticia sobre el último avance tecnológico de Changxin Storage, un fabricante chino de chips de almacenamiento, golpeó el sector de semiconductores en Wall Street—el índice de semiconductores de Filadelfia cayó un 2,7% el lunes, marcando un mínimo de tres semanas. Las acciones relacionadas con chips de memoria, como Micron, SanDisk y los ADR de SK Hynix, lideraron las caídas, y el mercado mostró una creciente preocupación por la rápida entrada de empresas chinas al mercado de memorias para servidores AI, de altos márgenes.
Ante esta tendencia, el analista de IA Melvin comentó que no entendía en absoluto esta ola de ventas de acciones de memoria, considerando que la reacción del mercado era exagerada y que la venta masiva no era razonable.
Posteriormente, Musk respondió en la red social X diciendo que una vez que China domina el método de fabricación de un producto, su capacidad de escalar suele superar al resto del mundo combinado, ejemplificando con baterías de litio y energía solar. Al mismo tiempo, expresó su clara preocupación por la velocidad de avance de China en el área de chips de memoria, señalando que “China parece estar resolviendo rápidamente” estándares de uso general como LP5 y LP6.
Musk: La capacidad de escalar de China es una ventaja sistémica
En su publicación, Musk calificó la habilidad de China para escalar su capacidad manufacturera como una ventaja sistémica, no como un fenómeno aislado. Escribió: “Cuando China aprende cómo fabricar un producto, su capacidad para escalar suele superar al resto del mundo combinado. Ya lo hemos visto en el campo de las baterías de litio y la energía solar.”
Puso a SpaceX como referencia, señalando que SpaceX es una de las pocas excepciones—su masa de lanzamiento en órbita es aproximadamente un orden de magnitud mayor que la de todos los demás cohetes del mundo combinados. Pero luego añadió que, aun así, China actualmente ocupa la mayor parte de la masa de lanzamiento en órbita que no corresponde a SpaceX, “SpaceX es el valor atípico de la matriz.”
En el campo de los chips de memoria, el juicio de Musk fue aún más directo. Señaló que la RAM era hasta hace tres años solo una commodity de bajos márgenes, y que LP5 y LP6 siguen un diseño de estándar general, “China parece estar resolviendo esto rápidamente”. También indicó que la siguiente generación de arquitectura HBM, la capa de SRAM debajo de la capa lógica y la pila 3D de RAM sobre la capa lógica (que además aborda los problemas de disipación de calor) serán desafíos técnicos mucho mayores.
El avance tecnológico de Changxin Storage desata ventas en el mercado
Las declaraciones de Musk no surgieron de la nada. El pasado fin de semana, el Dr. Kan Yu Cao, presidente de Changxin Storage, anunció en un evento del sector que la compañía había logrado un avance clave en la arquitectura de celdas de almacenamiento de próxima generación 4F², y planea lanzar productos de memoria DDR5 para servidores basados en esta arquitectura antes de finales de 2026.
La principal ventaja de la arquitectura 4F² es el menor área de la celda de almacenamiento. En la arquitectura común 6F² de la DRAM tradicional, F representa la reducción mínima de línea del proceso, y el diseño 4F² teóricamente puede alojar alrededor de un tercio más de bits en la misma área, lo que reduce el costo unitario y lo hace más adecuado para barras de memoria de alta capacidad requeridas por servidores de IA. Kan Yu Cao señaló que este diseño utiliza transistores de puerta rodeados verticalmente propios para suprimir las fugas de corriente, dirigiéndose directamente al mercado DRAM de servidores de IA de altos márgenes.
Esta noticia provocó una preocupación repentina en el mercado por la rápida penetración de las empresas chinas en el segmento de chips de almacenamiento de alta gama, convirtiéndose en el factor desencadenante directo de la caída general de las acciones de semiconductores el lunes. El sector tecnológico fue el de peor desempeño en Wall Street ese día, y las acciones vinculadas a chips de memoria fueron las más afectadas. Micron cayó por debajo del umbral de 1000 dólares y cerró con una baja de alrededor del 4%; SanDisk bajó casi un 6%; los ADR de SK Hynix y Super Micro Computer cayeron más del 4%; Seagate Technology cayó más del 3%; Quantum cayó más del 9%; Corning también sufrió una fuerte caída.
La lógica detrás de estas ventas masivas es clara: si las empresas chinas pueden entrar al mercado de chips de almacenamiento de alta gama, tradicionalmente dominado por empresas estadounidenses y surcoreanas, a costos más bajos y a mayor escala, los márgenes de ganancia de las compañías involucradas enfrentarán una compresión significativa. Las declaraciones públicas de Musk, en cierta medida, reforzaron la expectativa de los inversores sobre la evolución de este panorama competitivo.
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