La competencia NAND entre Corea y Japón se intensifica: Samsung y Kioxia producen simultáneamente los últimos chips de almacenamiento AI con especificaciones más avanzadas
Kioxia está enfrentando directamente a Samsung con su tecnología de más de 300 capas de NAND y su solución PCIe 6.0, mientras que Samsung contraataca de manera contundente con su proceso V10 de más de 430 capas. El duelo de gigantes entre Corea y Japón está redefiniendo la estructura del mercado de NAND.
El mercado global de NAND está experimentando una nueva ronda de competencia tecnológica acelerada. Kioxia de Japón ha estado impulsando intensivamente este año la producción masiva de soluciones de almacenamiento empresarial PCIe 6.0 y UFS 5.0 para dispositivos móviles, desafiando directamente el liderazgo de Samsung Electronics en el campo del almacenamiento para IA. La competencia por la nueva generación de productos entre estos gigantes del almacenamiento de Corea y Japón se está tornando cada vez más intensa.
Según el medio tecnológico surcoreano ZDNet, Kioxia inició a principios de julio la producción en masa de la décima generación (BiCS 10) de 3D NAND en su planta de Kitakami, en la prefectura de Iwate, Japón, y sobre esta base ha lanzado comercialmente el disco sólido empresarial PCIe 6.0 CM10. Por su parte, Samsung Electronics anunció en el mismo periodo que su producto PCIe 6.0 eSSD PM1763 ha entrado en fase de producción masiva, y reveló que la décima generación de V-NAND (V10) comenzará su producción a gran escala este mes, enfrentándose de manera directa a Kioxia en un punto crucial. El empuje simultáneo de ambas empresas para comercializar productos con las especificaciones más recientes acelerará la actualización del rendimiento de almacenamiento tanto en centros de datos IA como en dispositivos IA del borde, y tendrá un profundo impacto en la estructura actual de suministros.
En cuanto a la cuota de mercado, según datos de la firma de investigación TrendForce, en el primer trimestre de 2026, Samsung Electronics mantiene el primer lugar mundial en el mercado NAND con un 31.6%, seguida por SK Hynix con un 17.6% y Kioxia ocupa la tercera posición con un 13.9%. Si bien el tamaño de Kioxia es menor comparado con sus rivales coreanos, su ritmo de avances tecnológicos en almacenamiento de alto rendimiento para IA se está acelerando y la presión competitiva que ejerce no debe subestimarse.
Kioxia: BiCS 10 como base, doble avance con PCIe 6.0 y UFS 5.0
El núcleo de la ofensiva tecnológica de Kioxia en esta etapa es la décima generación de NAND. BiCS 10 utiliza una tecnología de apilamiento de 332 capas y fue producida en masa oficialmente en la planta K2 de Kitakami a principios de julio. Samsung Electronics y SK Hynix ya han completado la producción masiva de la novena generación de NAND. Aunque las definiciones sobre el número de capas apiladas en diferentes generaciones varía entre fabricantes y es difícil de comparar de manera directa, el hecho de que Kioxia lograra primero la producción masiva de NAND de más de 300 capas ya es, en sí mismo, un hito tecnológico importante.
Sobre esa base, Kioxia lanzó el PCIe 6.0 eSSD CM10 orientado al mercado de centros de datos. PCIe 6.0 es el estándar de interfaz más reciente que apenas comenzó a comercializarse este año. Según datos oficiales de Kioxia, el CM10 mejora hasta un 92% el rendimiento de lectura secuencial y alrededor de un 85% el de lectura aleatoria en comparación con el modelo anterior.
En la dirección de IA perimetral, Kioxia planea iniciar la producción masiva de la solución de almacenamiento UFS 5.0 a finales de este año. UFS 5.0 es la nueva especificación de almacenamiento embebido que empezó a comercializarse este año, orientada principalmente al segmento móvil de NAND, y su velocidad de proceso de datos duplica aproximadamente la de la anterior generación UFS 4.1. La solución UFS 5.0 de Kioxia integra un controlador propio y NAND de octava generación.
Samsung: múltiples líneas de producto, V10 abre una nueva era tecnológica
Samsung Electronics también ha estado muy activa este año en el ámbito de NAND. La PM1763 entró en producción masiva a principios de julio, equipada con la novena generación de V-NAND y un controlador de última generación fabricado en 4nm, consolidándose como el primer producto comercial de Samsung en el segmento PCIe 6.0.
En cuanto al almacenamiento móvil, Samsung completó el desarrollo de su producto UFS 5.0 en junio de este año y planea iniciar la producción masiva en el cuarto trimestre. Este producto, basado en la novena generación de NAND, alcanza un ancho de banda de transmisión de datos de 10.8GB/s, lo que Samsung presenta como el estándar más alto del sector, combinando además eficiencia energética.
Aún mayor atención del mercado ha generado el inicio de la producción masiva de la V10 NAND de Samsung. Se estima que la V10 supera las 430 capas apiladas y que, por primera vez, incorporará el proceso Hybrid Bonding y una arquitectura de triple apilado (3-Stack), marcando una nueva etapa en la tecnología NAND de Samsung. Según fuentes de la industria de semiconductores, Samsung ya ha finalizado la autorización interna de producción masiva (PRA) para la V10 y ya anunció oficialmente sus planes de fabricación a escala. Sin embargo, la misma fuente advierte que la inversión en equipamiento de producción masiva todavía no ha comenzado plenamente, por lo que los volúmenes iniciales seguirán siendo reducidos.
Demanda de IA impulsa la rápida penetración de nuevas especificaciones de almacenamiento
En esta ronda, el foco de la competencia entre fabricantes coreanos y japoneses está muy concentrado en las aplicaciones para IA. PCIe 6.0 apunta a satisfacer la elevada demanda de almacenamiento de alto rendimiento en los centros de datos IA, mientras que UFS 5.0 responde a la necesidad de un rápido incremento en el rendimiento de almacenamiento local en dispositivos IA del borde, en perfecta sintonía con la expansión actual de la industria de IA.
La rápida adaptación de Kioxia evidencia que el ciclo de iteración tecnológica en el mercado global de NAND se está reduciendo, y la diferencia de tiempo para la comercialización de productos con especificaciones nuevas entre los principales jugadores se ha acortado en gran medida. Para los inversores en infraestructura de IA, los cuellos de botella de rendimiento en la capa de almacenamiento podrían aliviarse sustancialmente a partir de este año y el próximo gracias a la producción masiva de estos nuevos productos.
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