Samsung utilizará el proceso de 3 nanómetros de TSMC para fabricar obleas base HBM personalizadas de Nvidia.

Según informó el domingo Seoul Economic Daily, Samsung Electronics adoptará el proceso de fabricación de 3 nanómetros de TSMC para producir las obleas base de los chips HBM personalizados de próxima generación de NVIDIA. Este movimiento marcará la primera vez que Samsung coopera con TSMC en la fase de fabricación de HBM. El periódico, citando a fuentes de la industria, señala que NVIDIA ha solicitado a Samsung, SK Hynix y Micron Technology que utilicen el proceso de TSMC para fabricar las obleas base de NVHBM y empleen la tecnología DRAM de sexta generación para producir sus chips principales. Según la empresa, el NVHBM, lanzado en agosto de este año, integra el controlador de memoria personalizado de NVIDIA en el sustrato con el objetivo de facilitar una implementación estandarizada entre varios proveedores de memoria. Según Seoul Economic Daily, después de una evaluación interna, Samsung accedió a la petición de NVIDIA, pero planea continuar utilizando su propio modelo de producción para fabricar HBM estándar y productos personalizados destinados a otros clientes. El periódico, citando a sus fuentes, también indica que Samsung está evaluando si su propia fábrica podría producir obleas base de NVHBM en caso de que la demanda supere la capacidad de TSMC.