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"Die Bestellungen wurden nicht wie erwartet geändert, das Vertrauen wurde jedoch neu bewertet" – Bank of America: Die Zusammenarbeit der drei ASML-Giganten stärkt den langfristigen High-NA-Fahrplan

"Die Bestellungen wurden nicht wie erwartet geändert, das Vertrauen wurde jedoch neu bewertet" – Bank of America: Die Zusammenarbeit der drei ASML-Giganten stärkt den langfristigen High-NA-Fahrplan

智通财经智通财经2026/09/09 08:11
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Am Dienstag stand ASML (ASML.US) im Mittelpunkt des Marktes. Die Bank of America lobte das Unternehmen für zusätzliche Liefervereinbarungen von Chip-Herstellungsanlagen mit TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) und Samsung.

Wie die APP von Zhihui Finance berichtet, rückte am Dienstag ASML (ASML.US) ins Zentrum des Marktinteresses. Die Bank of America zeigte sich beeindruckt von den zusätzlichen Liefervereinbarungen für Chipfertigungsanlagen, die das Unternehmen mit TSMC (TSM.US), Intel (INTC.US) und Samsung abgeschlossen hat. Analyst Didier Scemama bekräftigte sein „Kaufen“-Rating für ASML und beließ das Kursziel bei 2.452 Euro. Er betonte, der Aufbau eines Ökosystems für 12-Zoll-Photomasken sei von entscheidender Bedeutung, um die aktuellen Einschränkungen der High-NA-Technologie zu überwinden.

Am 8. September veröffentlichte der niederländische Lithografie-Gigant ASML mehrere Ankündigungen und gab bekannt, mit den drei größten Chip-Herstellern der Welt – TSMC, Intel und Samsung Electronics – Vereinbarungen zur Zusammenarbeit bei der nächsten Generation von High-NA (High Numerical Aperture) EUV-Lithografiegeräten getroffen zu haben. Die drei Giganten veröffentlichten gleichzeitig ihre jeweiligen Zeitpläne zur Massenproduktion von High-NA und starteten gemeinsam eine umfassendere Brancheninitiative: die jahrzehntealten 6-Zoll-Photomasken-Standards auf 12-Zoll-Großformat-Photomasken umzustellen.

High-NA EUV gilt als bahnbrechendes Upgrade der aktuellen EUV-Lithografietechnologie. Der numerische Aperturwert (NA) der derzeit kommerziell eingesetzten EUV-Geräte beträgt 0,33 – High-NA EUV erhöht diesen Wert auf 0,55, was die Lithografieauflösung erheblich steigert. Das bedeutet, dass Chiphersteller auf derselben Waferfläche mehr Transistoren integrieren können: Die Größe der Transistoren kann um etwa das 1,7-Fache verkleinert werden, die Dichte steigt auf nahezu das Dreifache.

Bank of America-Analyst Didier Scemama schrieb in seinem Bericht an Kunden: „Diese Ankündigungen stimmen mit unseren Prognosen zur Einführung von High-NA EUV-Anlagen überein (fünf in diesem Jahr, sechs im nächsten Jahr, bis 2030 zwanzig).“

Er stellte fest: „Obwohl diese Bestellungen unsere finanziellen Prognosen nicht verändert haben, stärken sie das Vertrauen des Marktes in die koordinierte Entwicklung der gesamten Lieferkette entlang der einheitlichen High-NA-Roadmap erheblich. Die Massenfertigungserfahrung von Intel zeigt, dass Kunden die Technologie bereits unter den aktuellen Maskenstandards nutzen können; und die gemeinsame Initiative von TSMC, ASML und Samsung ebnet einen langfristigen Weg, um die Vorteile der Produktionseffizienz bei High-NA voll auszuschöpfen.“

„Dies ist besonders wichtig für zunehmend größere KI-Beschleuniger und Maskengrößen-GPUs, denn so können entsprechende Entwürfe während des Fertigungsprozesses das Risiko von Yield-Problemen durch Stitching-Prozesse vermeiden“, so Scemama weiter. „Das Ziel der Initiative ist es, bis 2031 eine Pilotlinie für 12-Zoll-Photomasken aufzubauen und bis 2033 die Serienfertigung zu ermöglichen.“

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