أعلنت Samsung عن نتائجها الأولية: بلغت الأرباح التشغيلية في الربع الثالث لأول مرة 100 تريليون وون كوري، بزيادة تقارب تسعة أضعاف مقارنة بالعام الماضي.

حققت شركة Samsung Electronics أرباح تشغيلية قياسية في الربع الثالث، حيث أدى اندفاع الاستثمارات في بنية الذكاء الاصطناعي التحتية إلى تفجر مستمر في الطلب على رقائق الذاكرة، مما مكن أكبر مصنع لرقائق الذاكرة في العالم من جني أرباح وفيرة.

يوم الخميس، أصدرت Samsung توجيهات أولية للنتائج، حيث بلغت الأرباح التشغيلية المجمعة للربع الثالث من عام 2026 (يوليو إلى سبتمبر) حوالي 107.4 تريليون وون كوري (حوالي 80.1 مليار دولار أمريكي)، بزيادة تقارب تسعة أضعاف عن نفس الفترة من العام الماضي عندما سجلت 12.17 تريليون وون كوري، لتسجل بذلك أول مرة في تاريخ الشركة تتجاوز فيها الأرباح التشغيلية الفصلية حاجز 100 تريليون وون كوري.

تجاوز هذا الرقم تقديرات LSEG التي بلغت 106.1 تريليون وون كوري، لكنه جاء أقل قليلاً من متوسط توقعات محللي Bloomberg البالغ 108.7 تريليون وون كوري. وبلغت الإيرادات في الربع الثالث حوالي 195 تريليون وون كوري، بزيادة 127% عن العام السابق، لكنها ظلت دون توقعات السوق.

وهذا هو الربع الرابع على التوالي الذي تسجل فيه Samsung رقمًا قياسيًا جديدًا في الأرباح التشغيلية. ويركز المحرك الأساسي لهذا الإنجاز على أعمال رقائق الذاكرة، حيث أدى شح المعروض في رقائق DRAM وNAND التقليدية مقترنًا بنمو الطلب القوي على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) إلى رفع الأسعار بشكل ملحوظ، ما أدى إلى اتساع أرباح قسم الرقائق بشكل كبير.

ويتوقع المحللون أن يستمر اختلال التوازن بين العرض والطلب حتى عام 2027، حينها ستستهلك الطلبات المرتبطة بالذكاء الاصطناعي حصة متزايدة من القدرة الإنتاجية العالمية للذاكرة. وستصدر Samsung تقريرها المالي الكامل المفصل حسب القطاعات في التاسع والعشرين من هذا الشهر.

تسارع بناء مراكز البيانات الخاصة بالذكاء الاصطناعي هو القوة المحركة الأساسية للدورة الفائقة الحالية للذاكرة. حيث يتسابق مطورو مراكز البيانات على طلب رقائق الذاكرة اللازمة لخوادم الذكاء الاصطناعي، ما تسبب في تصاعد مستمر للضغط على جانب العرض.

العرض المحدود من رقائق DRAM وNAND التقليدية، إلى جانب التوسع المستمر في الطلب على الذاكرة ذات النطاق الترددي العالي (HBM) المستخدمة في معالجة البيانات الضخمة للذكاء الاصطناعي، دفع بأسعار الذاكرة إلى مستويات مرتفعة بشكل عام.

قامت مؤسسة Counterpoint Research البحثية برفع توقعاتها لنسبة زيادة أسعار DRAM في الربع الثالث من نسبة 5% إلى 10% على أساس ربع سنوي إلى ما بين 10% و20%، ويعود ذلك إلى قيام العملاء بالطلب المسبق بشكل واسع النطاق، ما منح الموردين سلطة تسعير أوضح.

ويتوقع المحللون عموماً أن يظل نمو العرض أقل من نمو الطلب، وأن تتسع هذه الفجوة بحلول عام 2027، حيث ستستحوذ متطلبات الذكاء الاصطناعي على حصة متزايدة من طاقة إنتاج التخزين العالمية.

في سوق شرائح HBM، وهي المرافقة الأساسية لمسرعات الذكاء الاصطناعي، تواصل Samsung تقليص الفجوة بينها وبين المنافس SK hynix تدريجياً.

أشار المحللون إلى أن شحنات DRAM التقليدية مقيدة بمستوى المخزون ويتوقع أن تظل مستقرة تقريبًا على أساس ربع سنوي؛ ولكن مدعومة بالطلب القوي على HBM4، من المرجح أن ترتفع شحنات HBM بشكل كبير مقارنة بالربع السابق.

وقدّر Douglas Kim من Douglas Research Advisory أن حجم شحنات HBM من Samsung في الربع الثالث ارتفع بنحو 50% على أساس ربع سنوي. وفي الوقت ذاته، تعمل كل من Samsung وSK hynix على توسيع طاقتهما الإنتاجية وكذلك زيادة الاستثمارات الاستراتيجية في قطاع شركات الذكاء الاصطناعي من أجل تحفيز الطلب بشكل إضافي على منتجاتهما.

ومع ذلك، فإن ارتفاع قيمة الوون الكوري يشكل عبئًا نسبيًا، حيث تعني تحويلات المبيعات الخارجية المقومة بالدولار الأمريكي إلى العملة المحلية انخفاضاً في الدخل الفعلي، وهو ما يبدد جزئياً الفوائد الناتجة عن زيادة الشحنات.

ويتوقع المحللون أن تحقق وحدة رقائق Samsung أرباح تشغيلية ربع سنوية تصل إلى 110 تريليون وون كوري، لتصبح الدعامة الأساسية لأداء الشركة الكلي؛ بينما من المتوقع أن تسجل وحدة الإلكترونيات الاستهلاكية خسائر.

ارتفاع أسعار رقائق الذاكرة، رغم دوره في تعزيز أرباح قطاع أشباه الموصلات، إلا أنه يدفع أيضاً بتكاليف مكونات الهواتف الذكية وسلع Samsung الإلكترونية الأخرى إلى الأعلى، مما يضغط على هوامش أرباح هذه الأقسام.