ارتفاع كبير في أسهم Nano Micro Semiconductor في 29 سبتمبر: مشر وع 10kV + رقائق SiC
Bitget异动解读2026/09/29 08:20تفسير ارتفاع أسهم 纳微半导体 في 29 سبتمبر
الكلمات الرئيسية: مشروع 10kV، رقائق SiC
1. في 28 سبتمبر، أعلنت الشركة عن حصولها على مشروع ALATTIS لتطوير الجيل القادم من تقنية أشباه الموصلات للطاقة من كربيد السيليكون بقوة 10kV، وذلك من خلال تصميم وتصنيع واختبار وتطوير والتحقق من عمليات تصنيع أجهزة SiC فائقة الجهد.
2. في 28 سبتمبر، أفصحت الشركة أن نشاطها الرئيسي يتركز في أشباه الموصلات لطاقة الجيل القادم GaNFast (النيتريد الغاليوم) وGeneSiC (كربيد السيليكون)، وقد تم الاعتراف بقدرتها في تقنيات وتصنيع سلسلة التوريد لأجهزة SiC فائقة الجهد من خلال تقييم هذا المشروع.
(إخلاء مسؤولية: تم تجميع هذا المحتوى بواسطة تقنية الذكاء الاصطناعي استناداً إلى معلومات متاحة للعامة، وهو لأغراض مرجعية فقط ولا يشكل نصيحة استثمارية.)
إخلاء المسؤولية: يعكس محتوى هذه المقالة رأي المؤلف فقط ولا يمثل المنصة بأي صفة. لا يُقصد من هذه المقالة أن تكون بمثابة مرجع لاتخاذ قرارات الاستثمار.