شركة وساطة كورية: مخزون رقائق الذاكرة لدى Samsung وSK Hynix لا يكفي لأكثر من 10 أيام، وقد يشهد العام المقبل أسوأ نقص في التاريخ

موجة الاستثمار في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي تدفع سوق شرائح التخزين العالمية إلى حافة أزمة إمداد غير مسبوقة.

أصدرت KB للأوراق المالية في كوريا الجنوبية تقرير أبحاث في 7 سبتمبر جاء فيه أن مخزون شرائح التخزين لدى Samsung Electronics وSK Hynix انخفض حالياً إلى أقل من 10 أيام، ومن المتوقع أن يتجاوز الطلب على بتات DRAM وNAND العام المقبل العرض بأكثر من 10 نقاط مئوية، مما قد يؤدي إلى نفاد كميات شرائح التخزين المتاحة فعلياً للبيع. وصف مدير قسم الأبحاث Kim Dong-won هذا الموقف بأنه "نقص تاريخي".

أشار هذا الجهاز أيضاً إلى أن سعر سهم Samsung Electronics وSK Hynix انخفض بنسبة 38% عن الذروة خلال الأشهر الثلاثة الماضية، مع نسبة السعر إلى الربحية المتوقعة للعام المقبل بنحو 3 أضعاف فقط، مما يشير إلى "تقييم منخفض للغاية"، كما أدرجت الشركتين كخيار أول في قطاع أشباه الموصلات، متوقعاً انطلاق موجة إعادة تقييم قوية قريباً.

تزايد الاستثمارات في الذكاء الاصطناعي وتوسع سريع في الطلب على شرائح التخزين

ذكرت KB للأوراق المالية أن مزودي الخدمات السحابية الضخمة سيرفعون بشكل كبير استثماراتهم في البنية التحتية للذكاء الاصطناعي العام القادم، بزيادة تقارب 60% عن هذا العام، ليصل حجم الاستثمار إلى 1.3 تريليون دولار.

قال Kim Dong-won إن الدافع الأساسي لهذا الاتجاه هو أن الذكاء الاصطناعي أصبح يشكل مصدر دخل مباشر من خلال خدمات AI السحابية، وفوترة Token، وAgentic AI، واستضافة النماذج، حيث يدخل نموذج ربحية الذكاء الاصطناعي مرحلة التفعيل العملي.

في استثمار البنية التحتية للذكاء الاصطناعي، يزداد نصيب شرائح التخزين بسرعة.

تتوقع KB للأوراق المالية أن تزيد هذه النسبة من 14% في عام 2024 إلى 40% في عام 2025، ثم تقفز إلى 57% في عام 2026، أي بزيادة تقارب 4 مرات خلال عامين.

توقعات شركة TrendForce العالمية لأبحاث أشباه الموصلات أكثر جرأة، إذ ترجح بلوغ هذه النسبة 68% في 2026، أي قفزة بنحو 5 أضعاف في عامين. ويرجع Kim Dong-won هذا الاتجاه إلى ثلاثة عوامل متراكبة: زيادة سعة ذاكرة HBM4، وتزايد طلب خوادم CPU على DRAM، وتوسع متزامن لطلب أقراص SSD المخصصة للمؤسسات في عمليات الاستدلال.

توسع إنتاج HBM4 يقلص حصة DRAM العامة

شددت KB للأوراق المالية بشكل خاص على أن التوسع في إنتاج الجيل السادس من الذاكرة عالية النطاق الترددي HBM4 سيؤدي إلى ضغط هيكلي على توريد DRAM العامة.

وفقاً لحسابات هذا الجهاز، يستهلك إنتاج شريحة واحدة من HBM4 طاقة إنتاجية تعادل ثلاثة شرائح DRAM عامة، ما يعني أنه مع كل زيادة في إنتاج HBM4، ينخفض استثمار بوحدات شرائح DRAM العامة بثلاثة أضعاف.

في ظل القيود المفروضة على إجمالي الاستثمار في الرقائق، سيُقيِّد هذا التضارب الهيكلي زيادة بتات السوق القابلة للبيع مباشرة، ما يُعد أحد الأسباب الجوهرية لنقص الإمداد العام المقبل. ويتوقع Kim Dong-won أن يتجاوز الطلب على بتات DRAM وNAND العرض بأكثر من 10 نقاط مئوية في العام المقبل، مما يشكل "أزمة إمدادات هي الأكثر خطورة في التاريخ".

مخزون ينذر بالخطر، سامسونج وSK Hynix تواجهان خطر نفاد الكميات

كشفت KB للأوراق المالية أنه حتى نهاية الربع الثالث من هذا العام، انخفض مخزون شرائح التخزين لدى Samsung Electronics وSK Hynix إلى أقل من 10 أيام، وتعدى الوضع الحالي مجرد تعافي في الطلب ليصل إلى نقص فعلي في الكميات المتاحة للبيع.

أوضح Kim Dong-won أن احتمالية نفاد الكميات الفعلية من شرائح التخزين القابلة للبيع باتت واقعية العام المقبل.

سيستوعب خادم الذكاء الاصطناعي العام المقبل في الوقت ذاته طلب HBM، وDDR5 للخوادم، وeSSD للمؤسسات، ما سيزيد الضغوط على العرض مع تلاقي عدة أنواع من الطلب. وترى KB للأوراق المالية أنه في ظل هذه الظروف، هناك مجال كبير لارتفاع أسعار شرائح التخزين.

انخفاض كبير في الأسهم، KB للأوراق المالية تتوقع موجة إعادة تقييم قوية

رغم أن التوقعات الأساسية أصبحت متفائلة، فقد انخفض سعر سهم Samsung Electronics وSK Hynix بنسبة 38% عن أعلى نقطة في الأشهر الثلاثة الماضية، فيما تقدر نسبة السعر إلى الربحية العام المقبل بنحو 3 ومضات.

ترى KB للأوراق المالية أن هذا المستوى من التقييم يتناقض بشدة مع توقع استمرار الشركتين تحقيق أرقام قياسية في الأداء خلال السنوات الثلاث المقبلة، إلى جانب الحفاظ على سياسة مكافأة المساهمين على نطاق واسع، ويُعد "تقييماً منخفضاً للغاية".

أدرج الجهاز Samsung Electronics وSK Hynix كخيار أول في قطاع أشباه الموصلات، ويتوقع أن تبدأ الشركتان قريباً حركة إعادة تقييم قوية انطلاقاً من هذا المستوى المنخفض للغاية.